國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) ， 推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，適用于36V至75V通用電信輸入及48V固定輸入系統(tǒng)等多種運(yùn)行環(huán)境的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。新型DirectFET器件采用IR先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)及新一代HEXFET功率MOSFET硅，額定電流可達(dá)35A，其散熱表現(xiàn)更加卓越且效率更高，而占板面積則只相當(dāng)于扁平型SO-8封裝。
IR DirectFET系列的最新器件通過(guò)持續(xù)改善影響功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開(kāi)關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)保證了器件在較高電流電平下工作，并且還保持了單個(gè)MOSFET的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)DirectFET MOSFET可以替代兩個(gè)或三個(gè)SO-8封裝器件。
該器件的典型10V RDS(on) 非常低，只有29mΩ。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作為隔離式或中間DC總線轉(zhuǎn)換器的原邊MOSFET。IRF6643TRPbF采用中級(jí)尺寸 (MZ) DirectFET封裝。
IR的DirectFET MOSFET封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，并已獲得專利保護(hù)。其金屬罐構(gòu)造可提供雙面冷卻功能，將用于驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微型處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
IR DirectFET系列的最新器件通過(guò)持續(xù)改善影響功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開(kāi)關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)保證了器件在較高電流電平下工作，并且還保持了單個(gè)MOSFET的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)DirectFET MOSFET可以替代兩個(gè)或三個(gè)SO-8封裝器件。
該器件的典型10V RDS(on) 非常低，只有29mΩ。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作為隔離式或中間DC總線轉(zhuǎn)換器的原邊MOSFET。IRF6643TRPbF采用中級(jí)尺寸 (MZ) DirectFET封裝。
IR的DirectFET MOSFET封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，并已獲得專利保護(hù)。其金屬罐構(gòu)造可提供雙面冷卻功能，將用于驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微型處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
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編輯：Sepnova
來(lái)源：中國(guó)電源門戶網(wǎng)
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本文鏈接：IR推出高效率150V DirectF
http:leisuda.cn/news/2006-12/20061225151043.html
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