英飛凌日前在2006年全球電源系統(tǒng)展會(huì)（Power Systems World 2006）上，發(fā)布應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 ：30V N溝道MOSFET家族可使標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導(dǎo)通電阻、功率密度和門(mén)極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)上達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。
英飛凌設(shè)計(jì)出了專門(mén)用于提高低壓電源轉(zhuǎn)換器性能的OptiMOS 3產(chǎn)品家族。該產(chǎn)品家族與前一代產(chǎn)品相比，通�？墒鼓茉葱侍岣�1%至1.3%。這種提升幅度看似不大，但從技術(shù)的角度講是很難實(shí)現(xiàn)的，它可以實(shí)現(xiàn)很大的節(jié)能量。如果全球1,200W服務(wù)器供電系統(tǒng)的能效都提高1%，全年即可節(jié)省約360兆瓦的電量，相當(dāng)于一個(gè)傳統(tǒng)發(fā)電廠的發(fā)電量。
“OptiMOS3產(chǎn)品家族不僅能幫助電源設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)未來(lái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功率要求，而且有助于節(jié)能�！庇w凌公司電源管理和供應(yīng)業(yè)務(wù)部高級(jí)主管Andreas Urschitz指出，“能效提升，開(kāi)關(guān)特性改善，功率密度更高，可靠性更強(qiáng)，這些不僅可以提高電源解決方案的性能和能效，還可以降低成本。”
借助OptiMOS3的出色特性，電源制造商只需利用較少的器件，即可獲得理想性能，使直流/直流轉(zhuǎn)換器通常所需的MOSFET數(shù)量降低33%。英飛凌還為該器件采用了全新的高性能Shrink SuperSO8(S3O8) 3mm X 3mm 封裝，這將使轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)設(shè)計(jì)中所需的MOSFET板載空間減小60%。
除了可開(kāi)發(fā)小型直流/直流轉(zhuǎn)換器之外，OptiMOS3器件還可用于提高給定標(biāo)準(zhǔn)尺寸的電源的輸出功率。此外，OptiMOS3還可延長(zhǎng)筆記本電池的使用壽命，降低服務(wù)器和電信系統(tǒng)的能耗。
利用N溝道OptiMOS3工藝制造的器件具備業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻（RDS（ON））、超低的門(mén)電荷以及其它使器件具備獨(dú)特性能的特性。例如采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3 功率MOSFET最大額定導(dǎo)通電阻僅為1.6mΩ（毫歐），比最接近的同類器件約低30%。低導(dǎo)通電阻最大程度地減少了傳導(dǎo)損耗和導(dǎo)通功率消耗，提高了功率密度。
較低的門(mén)極電荷使得OptiMOS 3器件易于驅(qū)動(dòng)，因此可以使用成本較低的驅(qū)動(dòng)器。此外，優(yōu)值系數(shù)（FOM）的提高使得驅(qū)動(dòng)器的負(fù)荷降低30%，大大降低了驅(qū)動(dòng)器工作溫度，在400kHZ開(kāi)關(guān)頻率條件下，與最出色的同類產(chǎn)品相比，降幅約達(dá)10攝氏度，從而降低了熱能消耗。
與業(yè)界領(lǐng)先的OptiMOS 2相比，全新的OptiMOS 3 在多個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了重大改進(jìn)，包括導(dǎo)通電阻降低30%，優(yōu)值系數(shù)提高30%，同時(shí)與OptiMOS 2相比封裝（S308）尺寸減小了60%的情況下仍然可以提供類似的性能。
上市與定價(jià)
全新的OptiMOS 3 30V功率MOSFET家族采用8種封裝形式，共有80多種器件，各種器件具備不同的導(dǎo)通電阻。目前，OptiMOS 3已批量供應(yīng)。性能最為出色的BSC016N03LSG器件，導(dǎo)通電阻為1.6 mΩ，采用SuperSO8封裝。如果訂購(gòu)數(shù)量達(dá)到萬(wàn)件，單價(jià)不到1美元。采用S3O8封裝的3.5 mΩ器件的價(jià)格不到0.7美元。
英飛凌設(shè)計(jì)出了專門(mén)用于提高低壓電源轉(zhuǎn)換器性能的OptiMOS 3產(chǎn)品家族。該產(chǎn)品家族與前一代產(chǎn)品相比，通�？墒鼓茉葱侍岣�1%至1.3%。這種提升幅度看似不大，但從技術(shù)的角度講是很難實(shí)現(xiàn)的，它可以實(shí)現(xiàn)很大的節(jié)能量。如果全球1,200W服務(wù)器供電系統(tǒng)的能效都提高1%，全年即可節(jié)省約360兆瓦的電量，相當(dāng)于一個(gè)傳統(tǒng)發(fā)電廠的發(fā)電量。
“OptiMOS3產(chǎn)品家族不僅能幫助電源設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)未來(lái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功率要求，而且有助于節(jié)能�！庇w凌公司電源管理和供應(yīng)業(yè)務(wù)部高級(jí)主管Andreas Urschitz指出，“能效提升，開(kāi)關(guān)特性改善，功率密度更高，可靠性更強(qiáng)，這些不僅可以提高電源解決方案的性能和能效，還可以降低成本。”
借助OptiMOS3的出色特性，電源制造商只需利用較少的器件，即可獲得理想性能，使直流/直流轉(zhuǎn)換器通常所需的MOSFET數(shù)量降低33%。英飛凌還為該器件采用了全新的高性能Shrink SuperSO8(S3O8) 3mm X 3mm 封裝，這將使轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)設(shè)計(jì)中所需的MOSFET板載空間減小60%。
除了可開(kāi)發(fā)小型直流/直流轉(zhuǎn)換器之外，OptiMOS3器件還可用于提高給定標(biāo)準(zhǔn)尺寸的電源的輸出功率。此外，OptiMOS3還可延長(zhǎng)筆記本電池的使用壽命，降低服務(wù)器和電信系統(tǒng)的能耗。
利用N溝道OptiMOS3工藝制造的器件具備業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻（RDS（ON））、超低的門(mén)電荷以及其它使器件具備獨(dú)特性能的特性。例如采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3 功率MOSFET最大額定導(dǎo)通電阻僅為1.6mΩ（毫歐），比最接近的同類器件約低30%。低導(dǎo)通電阻最大程度地減少了傳導(dǎo)損耗和導(dǎo)通功率消耗，提高了功率密度。
較低的門(mén)極電荷使得OptiMOS 3器件易于驅(qū)動(dòng)，因此可以使用成本較低的驅(qū)動(dòng)器。此外，優(yōu)值系數(shù)（FOM）的提高使得驅(qū)動(dòng)器的負(fù)荷降低30%，大大降低了驅(qū)動(dòng)器工作溫度，在400kHZ開(kāi)關(guān)頻率條件下，與最出色的同類產(chǎn)品相比，降幅約達(dá)10攝氏度，從而降低了熱能消耗。
與業(yè)界領(lǐng)先的OptiMOS 2相比，全新的OptiMOS 3 在多個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了重大改進(jìn)，包括導(dǎo)通電阻降低30%，優(yōu)值系數(shù)提高30%，同時(shí)與OptiMOS 2相比封裝（S308）尺寸減小了60%的情況下仍然可以提供類似的性能。
上市與定價(jià)
全新的OptiMOS 3 30V功率MOSFET家族采用8種封裝形式，共有80多種器件，各種器件具備不同的導(dǎo)通電阻。目前，OptiMOS 3已批量供應(yīng)。性能最為出色的BSC016N03LSG器件，導(dǎo)通電阻為1.6 mΩ，采用SuperSO8封裝。如果訂購(gòu)數(shù)量達(dá)到萬(wàn)件，單價(jià)不到1美元。采用S3O8封裝的3.5 mΩ器件的價(jià)格不到0.7美元。
免責(zé)聲明：本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無(wú)關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請(qǐng)讀者僅作參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
編輯：NewsSource
編輯：NewsSource
本文鏈接：英飛凌新一代MOSFET家族大幅提升節(jié)
http:leisuda.cn/news/2006-11/2006111310811.html
http:leisuda.cn/news/2006-11/2006111310811.html
文章標(biāo)簽： 英飛凌/MOSFET/OptiMOS&
0755-82905460
郵箱 
：
