意法半導(dǎo)體公司(ST)推出采用90nm工藝技術(shù)的128Mb NAND閃存器件——NAND128W3A2BN6E。90nm技術(shù)降低了閃存芯片的成本和功耗。這些閃存廣泛應(yīng)用于如數(shù)碼相機(jī)、錄音機(jī)、PDA、機(jī)頂盒(STB)、打印機(jī)和各種閃存卡等消費(fèi)類電子產(chǎn)品。據(jù)介紹，NAND128是目前市場(chǎng)上唯一采用90nm工藝技術(shù)的128Mb閃存。
NAND128具有超快的數(shù)據(jù)吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址線和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號(hào)在8位總線上復(fù)接，降低了引腳數(shù)量，允許使用標(biāo)準(zhǔn)組件的NAND接口，使制造商能生產(chǎn)更高(或更低)容量的產(chǎn)品，而不用改變占位面積。
該公司提供的軟件工具鏈有助于加快產(chǎn)品開發(fā)速度，并延長(zhǎng)存儲(chǔ)器芯片的使用時(shí)間。工具包括誤差修正碼(ECC)軟件；用來識(shí)別和替代區(qū)塊的壞區(qū)塊管理(BBM)(在擦除或編程操作時(shí)，通過將數(shù)據(jù)復(fù)制到正確區(qū)塊實(shí)現(xiàn))；通過在所有區(qū)塊分配“擦除和程序”(Erase and Program)操作的Wear Leveling算法，以優(yōu)化器件的使用年限；文件系統(tǒng)OS參考軟件，以及硬件仿真模型。
此存儲(chǔ)器有1024個(gè)名義上16KB區(qū)塊，每個(gè)能分成512B的頁(yè)，每頁(yè)有16個(gè)空余字節(jié)(B)，它能按頁(yè)來讀取和編程�？沼嘧止�(jié)可用作誤差修正碼(ECC)、軟件標(biāo)識(shí)或壞區(qū)塊識(shí)別�！皬�(fù)制后程序”(Copy Back Program)模式使得存儲(chǔ)在一頁(yè)的數(shù)據(jù)能直接編程到另外一頁(yè)，而不需要外部緩沖，這種特性典型用來轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)。如果頁(yè)編程由于有缺陷區(qū)塊而操作失敗時(shí)，還提供區(qū)塊指令，區(qū)塊擦除時(shí)間2ms。每個(gè)區(qū)塊有10萬次編程和擦除，以及10年數(shù)據(jù)保存期。
該器件具備“Chip Enable Don't Care”特性，簡(jiǎn)化了微控制器接口，并且使NAND閃存與其它類型存儲(chǔ)器(如NOR閃存和SRAM)混合使用時(shí)更有效率。該器件出廠時(shí)標(biāo)記唯一識(shí)別碼，用戶可編程序號(hào)增加了目標(biāo)應(yīng)用的安全性。
NAND128W3A2BN6E的工作溫度范圍為-40℃至85℃，它采用無鉛TSOP48封裝，現(xiàn)可批量供貨，單片價(jià)格范圍為4至4.5美元(僅供參考)。
NAND128具有超快的數(shù)據(jù)吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址線和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號(hào)在8位總線上復(fù)接，降低了引腳數(shù)量，允許使用標(biāo)準(zhǔn)組件的NAND接口，使制造商能生產(chǎn)更高(或更低)容量的產(chǎn)品，而不用改變占位面積。
該公司提供的軟件工具鏈有助于加快產(chǎn)品開發(fā)速度，并延長(zhǎng)存儲(chǔ)器芯片的使用時(shí)間。工具包括誤差修正碼(ECC)軟件；用來識(shí)別和替代區(qū)塊的壞區(qū)塊管理(BBM)(在擦除或編程操作時(shí)，通過將數(shù)據(jù)復(fù)制到正確區(qū)塊實(shí)現(xiàn))；通過在所有區(qū)塊分配“擦除和程序”(Erase and Program)操作的Wear Leveling算法，以優(yōu)化器件的使用年限；文件系統(tǒng)OS參考軟件，以及硬件仿真模型。
此存儲(chǔ)器有1024個(gè)名義上16KB區(qū)塊，每個(gè)能分成512B的頁(yè)，每頁(yè)有16個(gè)空余字節(jié)(B)，它能按頁(yè)來讀取和編程�？沼嘧止�(jié)可用作誤差修正碼(ECC)、軟件標(biāo)識(shí)或壞區(qū)塊識(shí)別�！皬�(fù)制后程序”(Copy Back Program)模式使得存儲(chǔ)在一頁(yè)的數(shù)據(jù)能直接編程到另外一頁(yè)，而不需要外部緩沖，這種特性典型用來轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)。如果頁(yè)編程由于有缺陷區(qū)塊而操作失敗時(shí)，還提供區(qū)塊指令，區(qū)塊擦除時(shí)間2ms。每個(gè)區(qū)塊有10萬次編程和擦除，以及10年數(shù)據(jù)保存期。
該器件具備“Chip Enable Don't Care”特性，簡(jiǎn)化了微控制器接口，并且使NAND閃存與其它類型存儲(chǔ)器(如NOR閃存和SRAM)混合使用時(shí)更有效率。該器件出廠時(shí)標(biāo)記唯一識(shí)別碼，用戶可編程序號(hào)增加了目標(biāo)應(yīng)用的安全性。
NAND128W3A2BN6E的工作溫度范圍為-40℃至85℃，它采用無鉛TSOP48封裝，現(xiàn)可批量供貨，單片價(jià)格范圍為4至4.5美元(僅供參考)。
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本文鏈接：ST推出采用90nm工藝技術(shù)的128M
http:leisuda.cn/news/2005-9/20059595135.html
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