9月4日消息，韓國一個科學家小組最近表示，他們開發(fā)出了一種新技術，為替代目前以硅為基礎的半導體產(chǎn)品開辟了道路。
據(jù)法新社報道，該小組已表示成功制造出了所謂的“Mott Insulator”（莫特絕緣體），小組由電子與通信研究院（ETRI）的Kim Hyun-Tak牽頭。新材料是以獲得1977年諾貝爾物理獎的英國科學家Nevill Mott的名字命名的，盡管Mott insulators也屬于金屬，但它不能導電。然而，在高電壓狀態(tài)下，Mott insulators在相對較低的67攝氏度（華氏152.6度）下具有導電性能。
ETRI院長Lim Joo-Hwan表示，“硅物質導電發(fā)熱的物理性質使得芯片上無法建立超薄集成電路，然而Mott metals卻不會發(fā)熱。”
Kim Hyun-Tak表示，“20世紀在電子界風靡一時的半導體最終將給Mott insulators讓路”。
他表示，Mott insulators材料可開創(chuàng)一下每年達1000億美元銷售額的全球市場，包括顯示器與大量新設備都可放棄硅半導體而選擇Mott insulators。
他表示，使用Mott金屬絕緣體之后，芯片的工藝可能達到5微米制程，而目前的半導體芯片的制程理論可達到40納米，但當前市場上最領先的產(chǎn)品也使用90納米制造工藝。三星電子公司去年展示了全球最為先進的閃存芯片技術，該芯片采用的是60納米工藝。
專家們提示，60納米很可能代表了硅元素半導體芯片的工藝極限。
據(jù)法新社報道，該小組已表示成功制造出了所謂的“Mott Insulator”（莫特絕緣體），小組由電子與通信研究院（ETRI）的Kim Hyun-Tak牽頭。新材料是以獲得1977年諾貝爾物理獎的英國科學家Nevill Mott的名字命名的，盡管Mott insulators也屬于金屬，但它不能導電。然而，在高電壓狀態(tài)下，Mott insulators在相對較低的67攝氏度（華氏152.6度）下具有導電性能。
ETRI院長Lim Joo-Hwan表示，“硅物質導電發(fā)熱的物理性質使得芯片上無法建立超薄集成電路，然而Mott metals卻不會發(fā)熱。”
Kim Hyun-Tak表示，“20世紀在電子界風靡一時的半導體最終將給Mott insulators讓路”。
他表示，Mott insulators材料可開創(chuàng)一下每年達1000億美元銷售額的全球市場，包括顯示器與大量新設備都可放棄硅半導體而選擇Mott insulators。
他表示，使用Mott金屬絕緣體之后，芯片的工藝可能達到5微米制程，而目前的半導體芯片的制程理論可達到40納米，但當前市場上最領先的產(chǎn)品也使用90納米制造工藝。三星電子公司去年展示了全球最為先進的閃存芯片技術，該芯片采用的是60納米工藝。
專家們提示，60納米很可能代表了硅元素半導體芯片的工藝極限。
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網(wǎng)無關。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
本文鏈接：韓國開發(fā)出新技術 芯片工藝有望達5納米
http:leisuda.cn/news/2005-9/20059592337.html
http:leisuda.cn/news/2005-9/20059592337.html
0755-82905460
郵箱 
：
