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三星成功開發(fā)出50納米16千兆半導體

2005/9/14 9:04:05   電源在線網(wǎng)
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  據(jù)朝鮮日報報道,三星電子在世界上首次成功開發(fā)出了商用化50納米技術(shù)的16千兆NAND閃存半導體。三星電子此次成功開發(fā)出的16千兆NAND閃存,利用相當于頭發(fā)直徑2000分之1的50納米技術(shù),該半導體內(nèi)存芯片的容量相當于在指甲大小的芯片內(nèi)集中164億個集成電路。三星電子方面稱,利用該芯片可制造32千兆內(nèi)存卡,可以存儲日報200年分量、DVD電影20部(32小時)、8000首MP3文件。
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  三星電子計劃明年下半年開始批量生產(chǎn)16千兆NAND閃存,預計未來10年內(nèi)將形成140億美元規(guī)模的市場。今天,三星電子總管半導體項目的黃昌圭總經(jīng)理在新羅酒店舉行的記者座談會上稱:“去年成功開發(fā)出8千兆NAND閃存之后,今年又成功開發(fā)出集成度高2倍的16千兆半導體!辈㈩A測:“因此,以后MP3、手機、電子辭典等搭載閃存的高容量數(shù)碼設備市場將會爆發(fā)性地增長!
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  黃昌圭還稱:“人類在2千多前發(fā)明了紙,現(xiàn)在人類通過新的儲存媒介——閃存掀起了第2次紙革命,開創(chuàng)了數(shù)碼紙時代。在不遠的將來,膠卷、磁帶、硬盤等可攜帶的所有移動存儲器最終將被閃存完全取代!
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http:leisuda.cn/news/2005-9/2005914945.html
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