2005年8月5日– 作為全球領先的分立器件供應商，安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）推出 µESD （微型ESD） 雙串聯(lián)高性能微型封裝靜電放電（ESD）保護二極管。µESD雙串聯(lián)系列產(chǎn)品專為為電壓敏感元件提供雙線保護而設計，適于需要最小板面積和低高度的應用，如手機、MP3播放器和便攜式游戲系統(tǒng)。
安森美半導體小信號部市場營銷主管Gary Straker表示，“對致力于滿足嚴格的ESD標準的設計人員而言，安森美半導體的µESD雙器件提供了替代常用多層可變電阻(MLV)的令人注目的方案。µESD雙器件可以在小于兩個0402 MLV的板面積內(nèi)保護兩條線路，同時具有多種性能優(yōu)勢，包括鉗制電壓較低、漏電較少、響應時間較短，且能夠承受多次ESD沖擊，而在電氣性能上無偏移。”
這些器件設計采用目前市場上最小的3引腳塑料封裝來獲取最佳的ESD抑制性能。µESD雙串聯(lián)可在不足一納秒內(nèi)鉗制30千伏（kV）ESD瞬流（符合IEC61000-4-2標準），確保電壓敏感元件受到保護。這些器件可將ESD脈沖電壓鉗制至低于7伏特（V），以保護最敏感的系統(tǒng)并減小對電路功能的干擾。
µESD雙串聯(lián)系列的另一特性在于采用超小的SOT-723 封裝。由于其外形尺寸僅為1.2 mm x 1.2 mm，因此對板面積受限的設計人員而言是理想的選擇。由于此封裝的高度僅有0.5 mm，設計人員因此能夠在不影響功能的同時，實現(xiàn)高度的最小化。這種串聯(lián)將雙線保護集成入一個封裝中，可以進一步減小所需的板面積和系統(tǒng)元件數(shù)量，從而簡化了封裝工藝。
這些新型ESD保護器件關(guān)斷狀態(tài)的漏電電流超低，僅為0.05 毫安（µA），提高電路效率和電池使用壽命，非常適于手持式產(chǎn)品應用。它們的電容較小，僅為35 皮法（pF），適于為數(shù)據(jù)速率高達10 Mb/s的數(shù)據(jù)線提供保護。
安森美半導體小信號部總經(jīng)理Mamoon Rashid說，“由于便攜式電子應用的用戶接口數(shù)量增加，而尺寸減小，因而它們越來越容易受到偶然ESD損害的影響。µESD雙串聯(lián)系列產(chǎn)品是安森美半導體與日增長的器件系列中的新成員，專為鉗制 ESD 瞬流而設計。安森美半導體通過先進的硅設計，并致力于推動封裝外殼發(fā)展，公司將持續(xù)為這一具有挑戰(zhàn)性的應用領域開發(fā)高性能的解決方案�！�
安森美半導體小信號部市場營銷主管Gary Straker表示，“對致力于滿足嚴格的ESD標準的設計人員而言，安森美半導體的µESD雙器件提供了替代常用多層可變電阻(MLV)的令人注目的方案。µESD雙器件可以在小于兩個0402 MLV的板面積內(nèi)保護兩條線路，同時具有多種性能優(yōu)勢，包括鉗制電壓較低、漏電較少、響應時間較短，且能夠承受多次ESD沖擊，而在電氣性能上無偏移。”
這些器件設計采用目前市場上最小的3引腳塑料封裝來獲取最佳的ESD抑制性能。µESD雙串聯(lián)可在不足一納秒內(nèi)鉗制30千伏（kV）ESD瞬流（符合IEC61000-4-2標準），確保電壓敏感元件受到保護。這些器件可將ESD脈沖電壓鉗制至低于7伏特（V），以保護最敏感的系統(tǒng)并減小對電路功能的干擾。
µESD雙串聯(lián)系列的另一特性在于采用超小的SOT-723 封裝。由于其外形尺寸僅為1.2 mm x 1.2 mm，因此對板面積受限的設計人員而言是理想的選擇。由于此封裝的高度僅有0.5 mm，設計人員因此能夠在不影響功能的同時，實現(xiàn)高度的最小化。這種串聯(lián)將雙線保護集成入一個封裝中，可以進一步減小所需的板面積和系統(tǒng)元件數(shù)量，從而簡化了封裝工藝。
這些新型ESD保護器件關(guān)斷狀態(tài)的漏電電流超低，僅為0.05 毫安（µA），提高電路效率和電池使用壽命，非常適于手持式產(chǎn)品應用。它們的電容較小，僅為35 皮法（pF），適于為數(shù)據(jù)速率高達10 Mb/s的數(shù)據(jù)線提供保護。
安森美半導體小信號部總經(jīng)理Mamoon Rashid說，“由于便攜式電子應用的用戶接口數(shù)量增加，而尺寸減小，因而它們越來越容易受到偶然ESD損害的影響。µESD雙串聯(lián)系列產(chǎn)品是安森美半導體與日增長的器件系列中的新成員，專為鉗制 ESD 瞬流而設計。安森美半導體通過先進的硅設計，并致力于推動封裝外殼發(fā)展，公司將持續(xù)為這一具有挑戰(zhàn)性的應用領域開發(fā)高性能的解決方案�！�
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本文鏈接：安森美半導體新型ESD抑制器件采用低高
http:leisuda.cn/news/2005-8/200586104021.html
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