國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出新款20V DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組——IRF6610和IRF6636。IR表示，這款小型罐式DirectFET MOSFET對性能相當(dāng)于一對SO-8 MOSFET，但體積卻減少了40%，最適用于對尺寸、效率和熱性能有重大要求的高頻負載點(Point-of-load，簡稱POL)設(shè)計。
IR臺灣分公司總經(jīng)理朱文義表示：“在12V計算機運算系統(tǒng)中，IRF6610和IRF6636芯片組最適用于可支持5V至1V以下輸出電壓的高密度15A POL轉(zhuǎn)換器。以一個500kHz POL轉(zhuǎn)換器為例，若采用這款芯片組，便能在1.5V下提供15A輸出電流，實現(xiàn)大于88%的效率�！�
IRF6610的閘電荷(gate charge)低至10nC，可將開關(guān)損耗減至最低，實現(xiàn)最佳控制場效應(yīng)管(FET)功能。IRF6636則是一款多功能的DirectFET功率MOSFET，其導(dǎo)通電阻為4.5mΩ，閘電荷低至18nC。它可耦合IRF6610，成為專門針對15A應(yīng)用的同步場效應(yīng)管；又可配合IRF6691組成控制場效應(yīng)管，適用于每相位35A的多相位應(yīng)用。IRF6636/IRF6691芯片能在POL模塊等應(yīng)用中提供更高密度，取代多達4個熱強化型SO-8 MOSFET器件。
該公司表示，IR的專利DirectFET MOSFET封裝包含了一系列新的設(shè)計優(yōu)點，這是目前標準的塑料分立封裝所不具備的。其中，金屬罐狀結(jié)構(gòu)可提供雙面冷卻，將驅(qū)動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提高1倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”(RoHS)。
IR臺灣分公司總經(jīng)理朱文義表示：“在12V計算機運算系統(tǒng)中，IRF6610和IRF6636芯片組最適用于可支持5V至1V以下輸出電壓的高密度15A POL轉(zhuǎn)換器。以一個500kHz POL轉(zhuǎn)換器為例，若采用這款芯片組，便能在1.5V下提供15A輸出電流，實現(xiàn)大于88%的效率�！�
IRF6610的閘電荷(gate charge)低至10nC，可將開關(guān)損耗減至最低，實現(xiàn)最佳控制場效應(yīng)管(FET)功能。IRF6636則是一款多功能的DirectFET功率MOSFET，其導(dǎo)通電阻為4.5mΩ，閘電荷低至18nC。它可耦合IRF6610，成為專門針對15A應(yīng)用的同步場效應(yīng)管；又可配合IRF6691組成控制場效應(yīng)管，適用于每相位35A的多相位應(yīng)用。IRF6636/IRF6691芯片能在POL模塊等應(yīng)用中提供更高密度，取代多達4個熱強化型SO-8 MOSFET器件。
該公司表示，IR的專利DirectFET MOSFET封裝包含了一系列新的設(shè)計優(yōu)點，這是目前標準的塑料分立封裝所不具備的。其中，金屬罐狀結(jié)構(gòu)可提供雙面冷卻，將驅(qū)動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提高1倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”(RoHS)。
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http:leisuda.cn/news/2005-8/20058129340.html
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