英飛凌(Infineon)公司的CoolMOS CS服務(wù)器系列高壓功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO-220封裝的導(dǎo)通阻抗為99mW，TO-247封裝的導(dǎo)通阻抗為45mW，可承受600V電壓。它們的開關(guān)速度為150V/ns，允許工程師設(shè)計體積更小、效率更高、發(fā)熱更少的高端電源。
為實(shí)現(xiàn)低阻抗，電荷加在器件上實(shí)現(xiàn)電流傳導(dǎo)，然后加反極性的等量電荷平衡，兩種電荷在器件上隔離，并提供很細(xì)的間距，以此保證獲得較低的導(dǎo)通電阻。由于需要的柵極驅(qū)動功率低，因而可使用低功率柵極驅(qū)動器和IC。
為實(shí)現(xiàn)低阻抗，電荷加在器件上實(shí)現(xiàn)電流傳導(dǎo)，然后加反極性的等量電荷平衡，兩種電荷在器件上隔離，并提供很細(xì)的間距，以此保證獲得較低的導(dǎo)通電阻。由于需要的柵極驅(qū)動功率低，因而可使用低功率柵極驅(qū)動器和IC。
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本文鏈接：英飛凌的低導(dǎo)通阻抗MOSFET開關(guān)速度
http:leisuda.cn/news/2005-7/200572995333.html
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