韓國三星電子周一表示，將斥資3,912億韓元(3.877億美元)從事下一代半導(dǎo)體的研發(fā)。三星稱，這項(xiàng)投資是為了開發(fā)內(nèi)存芯片，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)和閃存等。
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本文鏈接：三星電子表示斥資3.88億美元從事芯片
http:leisuda.cn/news/2005-6/2005621104926.html
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