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美國科學家制造出全無機納米 LED

　　美國新墨西哥州Los Alamos和Sandia實驗室的科學家制造出第一個全無機納米晶體結構LED。
　　
　　這個器件將硒化鎘（CdSe）納米晶體與氮化鎵（GaN）基光發(fā)射區(qū)域結合在一起，利用磷將藍光發(fā)射轉化為黃光，避免了現(xiàn)在大多數(shù)LED效率低的問題。

　　半導體納米晶體能提供高量子效率，但是，這項LED技術被一個問題所困擾，那就是無法對納米晶體進行直接電氣連接。解決方法就是將量子點夾在GaN注入層之間，這項計劃的領導者Victor Klimov解釋道。美國科學家的方法是采用內(nèi)部層引腳結構，即用一個硒化鎘的芯層和一個硫化鋅的包層圍住納米晶體。
　　
　　研究者們生產(chǎn)了很多LED，包括573nm和619nm的發(fā)射器，其納米晶體核的直徑為3.6nm和5.2nm。

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