東芝日前開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅4Ωmm2的功率MOSFET產(chǎn)品“TK15A60S”,導(dǎo)通電阻比原產(chǎn)品降低了約60%。柵-漏極間的寄生電容為27nC,作為功率MOSFET開(kāi)關(guān)特性指標(biāo)的Ron×Qgd(導(dǎo)通電阻與柵-漏極間寄生電容的乘積)比該公司原產(chǎn)品降低約1/4。Ron×Qgd為“業(yè)界最低”(東芝)。主要面向電視機(jī)等家電類AC適配器等領(lǐng)域。耐壓600V。源-漏極間的額定電流為15A。閾值電壓為+3.0V~+5.0V。2005年3月23日開(kāi)始供應(yīng)樣品,計(jì)劃從4月開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)!
為了降低導(dǎo)通電阻與寄生電容,此次采用了名為“Super Junction結(jié)構(gòu)”的豎型晶體管結(jié)構(gòu)。作為普通的豎型晶體管結(jié)構(gòu),為了降低導(dǎo)通電阻而提高n型雜質(zhì)濃度后,耐壓便會(huì)隨之下降。而Super Junction結(jié)構(gòu)的耐壓本來(lái)就可以設(shè)計(jì)得很高,即便提高雜質(zhì)濃度,也能夠在不犧牲耐壓的情況下降低導(dǎo)通電阻。采用Super Junction結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,德國(guó)英飛凌科技等歐美廠商已經(jīng)開(kāi)始投產(chǎn)。此次,東芝在業(yè)界首次采用一項(xiàng)在元件中設(shè)計(jì)深溝道(deep trench)的溝道技術(shù),形成了Super Junction結(jié)構(gòu)。采用深溝道技術(shù),可以簡(jiǎn)化Super Junction結(jié)構(gòu)的形成工藝。
為了降低導(dǎo)通電阻與寄生電容,此次采用了名為“Super Junction結(jié)構(gòu)”的豎型晶體管結(jié)構(gòu)。作為普通的豎型晶體管結(jié)構(gòu),為了降低導(dǎo)通電阻而提高n型雜質(zhì)濃度后,耐壓便會(huì)隨之下降。而Super Junction結(jié)構(gòu)的耐壓本來(lái)就可以設(shè)計(jì)得很高,即便提高雜質(zhì)濃度,也能夠在不犧牲耐壓的情況下降低導(dǎo)通電阻。采用Super Junction結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,德國(guó)英飛凌科技等歐美廠商已經(jīng)開(kāi)始投產(chǎn)。此次,東芝在業(yè)界首次采用一項(xiàng)在元件中設(shè)計(jì)深溝道(deep trench)的溝道技術(shù),形成了Super Junction結(jié)構(gòu)。采用深溝道技術(shù),可以簡(jiǎn)化Super Junction結(jié)構(gòu)的形成工藝。
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http:leisuda.cn/news/2005-3/200532895548.html
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