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東芝新型功率MOSFET 開(kāi)關(guān)特性業(yè)界最低

　　東芝日前開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅4Ωmm2的功率MOSFET產(chǎn)品“TK15A60S”，導(dǎo)通電阻比原產(chǎn)品降低了約60%。柵-漏極間的寄生電容為27nC，作為功率MOSFET開(kāi)關(guān)特性指標(biāo)的Ron×Qgd（導(dǎo)通電阻與柵-漏極間寄生電容的乘積）比該公司原產(chǎn)品降低約1/4。Ron×Qgd為“業(yè)界最低”（東芝）。主要面向電視機(jī)等家電類AC適配器等領(lǐng)域。耐壓600V。源-漏極間的額定電流為15A。閾值電壓為＋3.0V～＋5.0V。2005年3月23日開(kāi)始供應(yīng)樣品，計(jì)劃從4月開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)�！�
　　
　　為了降低導(dǎo)通電阻與寄生電容，此次采用了名為“Super Junction結(jié)構(gòu)”的豎型晶體管結(jié)構(gòu)。作為普通的豎型晶體管結(jié)構(gòu)，為了降低導(dǎo)通電阻而提高n型雜質(zhì)濃度后，耐壓便會(huì)隨之下降。而Super Junction結(jié)構(gòu)的耐壓本來(lái)就可以設(shè)計(jì)得很高，即便提高雜質(zhì)濃度，也能夠在不犧牲耐壓的情況下降低導(dǎo)通電阻。采用Super Junction結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，德國(guó)英飛凌科技等歐美廠商已經(jīng)開(kāi)始投產(chǎn)。此次，東芝在業(yè)界首次采用一項(xiàng)在元件中設(shè)計(jì)深溝道（deep trench）的溝道技術(shù)，形成了Super Junction結(jié)構(gòu)。采用深溝道技術(shù)，可以簡(jiǎn)化Super Junction結(jié)構(gòu)的形成工藝。

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