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安森美低壓Trench MOSFET導(dǎo)通電阻低至150mΩ

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前推出八款新型N溝道和P溝道、低壓Trench MOSFET，以擴(kuò)展其溝道技術(shù)器件系列。新器件為小信號(hào)、20V MOSFET，適用于-430mA至-950mA應(yīng)用，如功率負(fù)載開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器電路和手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、PDA、尋呼機(jī)、媒體播放器，以及便攜式GPS系統(tǒng)中的電池管理等。

　　這些新型的低壓MOSFET采用安森美公司的Trench技術(shù)，增大了溝道長(zhǎng)度和等效溝道密度，同時(shí)降低了漏極和源極之間的電阻(RDS(on))，其RDS(on)范圍介于150至900mΩ之間，因此可以導(dǎo)通更大電流。

　　安森美的這幾款Trench MOSFET提供三種小型超薄封裝選擇，尺寸為1.6mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節(jié)省板空間。該公司將齊納二極管集成入Trench MOSFET的門，以此提供良好的ESD保護(hù)。

　　這八款低壓Trench MOSFET器件中的NTA4151PT1、NTE4151PT1、NTZS3151PT1和NTZD3152PT1是用于850mA高端負(fù)載開關(guān)的P溝道MOSFET，提供單模式和雙模式；NTA4153NT1、NTE4153NT1和NTZD3154NT1是用于高達(dá)915mA低端負(fù)載開關(guān)的N溝道MOSFET，提供單模式和雙模式；NTZD3155CT1是互補(bǔ)N溝道和P溝道的組合，用于集成負(fù)載開關(guān)或小電流DC-DC轉(zhuǎn)換。

　　上述每個(gè)器件均提供三種薄型1.6×1.6mm封裝。6引腳高度為0.6mm的SOT-563和3引腳高度0.8mm的SC-89為扁平引腳封裝。3引腳高度為1.0mm的SC-75為鷗翼式器件。扁平引腳封裝與業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的鷗翼式封裝相比，具有額外的熱性能。新器件每10,000件的批量單價(jià)在0.10美元至0.12美元之間(僅供參考)。

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