安森美(ON Semiconductor)推出全新系列的高性能VCE(sat)雙極結(jié)晶體管(BJT)，該產(chǎn)品降低電路總成本，并為各種便攜式應用如手機、PDA、媒體播放器、筆記本電腦和數(shù)碼相機, 提供更高的電源效率和更長的電池壽命。
低VCE(sat) BJT為微型的表面貼裝器件，具有超低飽和電壓(VCE(sat))和高電流增益能力的特性，專為負擔得起且能效控制要求高的低壓高速開關(guān)應用而設(shè)計。理想的應用包括電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振蕩器電機、LED背光、電池管理、磁盤驅(qū)動器控制和照相機閃光燈。
為協(xié)助一直處于削減其設(shè)計各個方面成本的巨大壓力之下的便攜式和無線產(chǎn)品制造商，安森美半導體在模擬集成電路以外，把目光轉(zhuǎn)向分立元件，以期獲得可能的成本節(jié)約。采用經(jīng)加強的硅技術(shù)和先進封裝，公司開發(fā)了這全新系列的小型、高性價比BJT，其所提供的低飽和電壓性能與較昂貴的分立解決方案的RDS(on)性能相當。
安森美半導體集成電源產(chǎn)品部小信號產(chǎn)品市場經(jīng)理Wes Reid說：“采用新型低VCE(sat) BJT，我們已成功幫助一些客戶實現(xiàn)了每個電路0.1美元的成本節(jié)約。安森美半導體工程小組也正加快開發(fā)新一代低VCE(sat) BJT 器件，它們可將等效RDS(on)再降低50%，為更多的用戶和其應用提供這種成本節(jié)約型技術(shù)�！�
安森美半導體新型VCE(sat) BJT的抗靜電放電(ESD)能力很強，有助防止敏感元件受到損壞。優(yōu)異的電氣性能和低溫系數(shù)可提高電源效率，并最終節(jié)約電池電能。通過減少特定應用中的器件數(shù)量，這些新型晶體管可進一步縮減材料單(BOM)。如在提供低于1.0伏的低導通電壓后，就無需典型的電荷泵 。由于它們具有雙向阻塞能力，所以也無需阻塞二極管。
低VCE(sat) BJT系列采用多種封裝，包括SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6和ChipFET，每10,000件的批量單價為0.07美元至0.16美元。
低VCE(sat) BJT為微型的表面貼裝器件，具有超低飽和電壓(VCE(sat))和高電流增益能力的特性，專為負擔得起且能效控制要求高的低壓高速開關(guān)應用而設(shè)計。理想的應用包括電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振蕩器電機、LED背光、電池管理、磁盤驅(qū)動器控制和照相機閃光燈。
為協(xié)助一直處于削減其設(shè)計各個方面成本的巨大壓力之下的便攜式和無線產(chǎn)品制造商，安森美半導體在模擬集成電路以外，把目光轉(zhuǎn)向分立元件，以期獲得可能的成本節(jié)約。采用經(jīng)加強的硅技術(shù)和先進封裝，公司開發(fā)了這全新系列的小型、高性價比BJT，其所提供的低飽和電壓性能與較昂貴的分立解決方案的RDS(on)性能相當。
安森美半導體集成電源產(chǎn)品部小信號產(chǎn)品市場經(jīng)理Wes Reid說：“采用新型低VCE(sat) BJT，我們已成功幫助一些客戶實現(xiàn)了每個電路0.1美元的成本節(jié)約。安森美半導體工程小組也正加快開發(fā)新一代低VCE(sat) BJT 器件，它們可將等效RDS(on)再降低50%，為更多的用戶和其應用提供這種成本節(jié)約型技術(shù)�！�
安森美半導體新型VCE(sat) BJT的抗靜電放電(ESD)能力很強，有助防止敏感元件受到損壞。優(yōu)異的電氣性能和低溫系數(shù)可提高電源效率，并最終節(jié)約電池電能。通過減少特定應用中的器件數(shù)量，這些新型晶體管可進一步縮減材料單(BOM)。如在提供低于1.0伏的低導通電壓后，就無需典型的電荷泵 。由于它們具有雙向阻塞能力，所以也無需阻塞二極管。
低VCE(sat) BJT系列采用多種封裝，包括SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6和ChipFET，每10,000件的批量單價為0.07美元至0.16美元。
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http:leisuda.cn/news/2005-10/2005101792251.html
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