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SiGe半導體面向便攜式應用推出Wi-Fi芯片系列

　　SiGe半導體公司(SiGe Semiconductor, Inc)日前宣布進一步擴展其Wi-Fi芯片系列，推出專為降低便攜式消費類電子產(chǎn)品尺寸及功耗而設計的無線射頻(RF)前端方案。

　　此次推出的RangeCharger系列器件，包括SE2550L RF前端模塊和SE2523L功率放大器。新產(chǎn)品主要面向802.11b/g無線局域網(wǎng)(WLAN)系統(tǒng)。其中，SE2550L在一個微型芯片級封裝內(nèi)集成了收發(fā)器和天線之間所需的所有RF功能，其側(cè)高為0.6mm。而SE2523L是一個獨立的功率放大器，帶有集成的使能電路和功率檢測器。這兩款芯片的消耗電流比現(xiàn)有產(chǎn)品低30%。

　　SE2550L這款RF前端模塊采用超薄18腳4×4.5×0.6mm封裝，包括一個高性能功率放大器、功率檢測器、數(shù)字使能控制、發(fā)送/接收開關(guān)、諧波濾波器，以及50W輸入和輸出匹配阻抗。在802.11g模式下，SE2550L具有+16dBm 的輸出功率，而其誤差矢量幅值(error vector magnitude, EVM) 小于3.0%。在802.11b模式下，該器件的輸出功率為+19dBm，并且符合ACPR要求。

　　SE2523L是一款2.4GHz功率放大器，它在16腳3×3mm四方扁平無引線(QFN)封裝內(nèi)集成了數(shù)字使能電路、功率檢測器和偏置電路。在802.11g工作模式下，該芯片具有+18dBm輸出功率，誤差矢量幅值為3%。在802.11b模式下，其輸出功率為+23dBm，并且符合ACPR要求。

　　上述兩款芯片都帶有數(shù)字使能控制電路，可直接與CMOS基帶或收發(fā)器相連，從而簡化設計。每個器件還帶有一個內(nèi)部耦合溫度補償功率檢測器，可以在輸出不匹配的情況下提高精確度。在2:1不匹配的情況下，SE2550L和 SE2523L的變量為1dB。

　　SE2550L和SE2523L現(xiàn)均可提供樣品。批量訂購10萬片時，SE2550L的售價為每片1.40美元(僅供參考)；SE2523L為0.70美元(僅供參考)。

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