美國(guó)新墨西哥州Los Alamos和Sandia實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家制造出第一個(gè)全無(wú)機(jī)納米晶體結(jié)構(gòu)LED。
這個(gè)器件將硒化鎘(CdSe)納米晶體與氮化鎵(GaN)基光發(fā)射區(qū)域結(jié)合在一起,利用磷將藍(lán)光發(fā)射轉(zhuǎn)化為黃光,避免了現(xiàn)在大多數(shù)LED效率低的問(wèn)題。
半導(dǎo)體納米晶體能提供高量子效率,但是,這項(xiàng)LED技術(shù)被一個(gè)問(wèn)題所困擾,那就是無(wú)法對(duì)納米晶體進(jìn)行直接電氣連接。解決方法就是將量子點(diǎn)夾在GaN注入層之間,這項(xiàng)計(jì)劃的領(lǐng)導(dǎo)者Victor Klimov解釋道。美國(guó)科學(xué)家的方法是采用內(nèi)部層引腳結(jié)構(gòu),即用一個(gè)硒化鎘的芯層和一個(gè)硫化鋅的包層圍住納米晶體。
研究者們生產(chǎn)了很多LED,包括573nm和619nm的發(fā)射器,其納米晶體核的直徑為3.6nm和5.2nm。
這個(gè)器件將硒化鎘(CdSe)納米晶體與氮化鎵(GaN)基光發(fā)射區(qū)域結(jié)合在一起,利用磷將藍(lán)光發(fā)射轉(zhuǎn)化為黃光,避免了現(xiàn)在大多數(shù)LED效率低的問(wèn)題。
半導(dǎo)體納米晶體能提供高量子效率,但是,這項(xiàng)LED技術(shù)被一個(gè)問(wèn)題所困擾,那就是無(wú)法對(duì)納米晶體進(jìn)行直接電氣連接。解決方法就是將量子點(diǎn)夾在GaN注入層之間,這項(xiàng)計(jì)劃的領(lǐng)導(dǎo)者Victor Klimov解釋道。美國(guó)科學(xué)家的方法是采用內(nèi)部層引腳結(jié)構(gòu),即用一個(gè)硒化鎘的芯層和一個(gè)硫化鋅的包層圍住納米晶體。
研究者們生產(chǎn)了很多LED,包括573nm和619nm的發(fā)射器,其納米晶體核的直徑為3.6nm和5.2nm。
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http:leisuda.cn/news/2005-5/200552792635.html
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