2008慕尼黑電子展 嘉興斯達半導體強勢出擊

 　一年一度的慕尼黑上海電子展（electronica&ProductronicaChina）在上海新國際博覽中心隆重開幕，展會從3 月18日持續(xù)到3月20日。隨著半導體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，SEMICON china已經(jīng)成為各地區(qū)了解中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及全球最新動態(tài)的重要平臺。

　　當今最領先的IGBT器件供應商，如三菱電機、塞米控、富士電機和英飛凌半導體等領先企業(yè)齊聚一堂，為廣大的中國機電產(chǎn)品設計師帶來他們開發(fā)的最新IGBT產(chǎn)品。作為IGBT產(chǎn)業(yè)的新丁，嘉興斯達半導體有限公司懷著向前輩學習的態(tài)度，嘉興斯達半導體強勢出擊，攜其全系列電力電子產(chǎn)品，亮相 SEMICON china2008。

　　在展臺上，斯達半導體公司展出了公司兩大系列產(chǎn)品，IGBT模塊和MOSFET模塊。據(jù)工作人員介紹，斯達半導體的IGBT模塊按照耐壓等級分為600V,1200V和1700V三個系列，在每個系列里面又按照模塊內(nèi)部的電路結構分成若干部分，每一種電路結構下面有若干電流等級的產(chǎn)品。斯達半導體的MOSFET模塊按照電路結構分為單開關、斬波器、半橋、全橋和三相橋等系列，每一種電路結構下面有若干電壓電流等級的產(chǎn)品。