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IDF2006：英特爾硅光子大幅降低光互連成本
新聞ID號：  8320 無標(biāo)題圖片
資訊類型：  會展報告
所屬類別：  元器件； 輔助材料
關(guān) 鍵 字：  英特爾硅光子
內(nèi)容描述：  ～
發(fā)布時間：  2006/9/28 9:28:08
更新時間：  2006/9/28 9:28:08
審核情況：  已審核開通[2006/9/28 9:28:08]
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新聞來源：  日經(jīng)BP
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　　美國英特爾2006年9月25日在“英特爾開發(fā)商論壇（IDF）”（2006年9月26日～28日，美國舊金山）面向記者召開的會前說明會上，介紹了該公司的研發(fā)情況及部分研發(fā)成果。其中，介紹時間最長的是9月18日剛剛發(fā)表的混合型硅激光技術(shù)的細(xì)節(jié)。

　　此次，英特爾在介紹混合型硅激光元件時強(qiáng)調(diào)了以下幾點(diǎn)：（1）在InP底板上形成的AlGaInAs發(fā)光層與Si導(dǎo)波路粘合時無需校準(zhǔn)位置；（2）憑借“倏逝波耦合”現(xiàn)象從發(fā)光層向硅導(dǎo)波路傳輸光線；（3）可輕松集成在英特爾構(gòu)想的“萬億次計算（Terascale Computing）”系統(tǒng)上，等等。

　　不需要校準(zhǔn)位置是因為該元件像“墻壁照明”一樣使用發(fā)光層。因此，即使將具有不同振蕩波的多束激光聚集在1枚芯片上時，也無需改變發(fā)光層及InP底板的組成及形狀，可直接使用。不過與墻壁照明不同是，整個發(fā)光層實(shí)際上并不發(fā)光。而是采用在發(fā)光層與硅導(dǎo)波路粘合后，只有封裝電極的地方發(fā)光的設(shè)計。在發(fā)光層與硅導(dǎo)波路粘合時，使用名為“glass-glue”的離子狀薄型氧化膜。通過采用該方法，無需使用在具有不同晶格常數(shù)的結(jié)晶間實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)晶成長的技術(shù)即可粘合。

　　“原有光互連技術(shù)的成本要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電氣傳輸。其中大部分成本由封裝時需要校準(zhǔn)位置而產(chǎn)生。而此次的技術(shù)則具有可實(shí)現(xiàn)高集成度和低成本的優(yōu)點(diǎn)，”英特爾通信技術(shù)實(shí)驗室負(fù)責(zé)人、高級研究員凱文·康（Kevin Kahn）。

　�。�2）倏逝波耦合是一種采用不向遠(yuǎn)方傳播的光來接受能量的方法。如果采用這一方法，振蕩波長將取決于硅導(dǎo)光線路的設(shè)計，而不是InP中的能帶隙。

　　英特爾打算將該技術(shù)應(yīng)用于為1枚芯片即可實(shí)現(xiàn)1TFLOPS運(yùn)算速度而配備超高速LSI的板卡間的連接。通過利用25種不同的波長收發(fā)以40Gbps變頻的光信號，即可實(shí)現(xiàn)1Tbps的數(shù)據(jù)傳輸速度�！澳繕�(biāo)是該技術(shù)在4～5年后達(dá)到實(shí)用水平”凱文·康說道。（野澤 哲生）