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| 新聞ID號： |
7615 |
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| 資訊類型： |
嘉賓訪談 |
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元器件 |
| 關 鍵 字： |
Cree/碳化硅 |
| 內(nèi)容描述： |
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| 發(fā)布時間： |
2006/8/10 12:06:36 |
| 更新時間： |
2006/8/21 10:29:11 |
| 審核情況： |
已審核開通[2006/8/10 12:06:36] |
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| 新聞來源： |
電源世界網(wǎng) 作者：祝世奎 |
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電源在線 |
| 圖片文件： |
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編者按：碳化硅（SiC）是半導體界公認的“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽w材料，由于碳化硅的各種特點，使得近年來通態(tài)電阻低并且散熱性好的碳化硅器件得到迅速發(fā)展，由碳化硅制成的肖特基二極管也得到了廣泛應用。面對如此朝氣蓬勃的行業(yè)，美國CREE公司獨占鰲頭，占據(jù)了全球市場的半壁江山。是什么原因使SiC材料炙手可熱，CREE的SiC肖特基二極管在中國的市場前景如何，抱著這些問題，我們有幸采訪了CREE 亞太區(qū)銷售總監(jiān)嚴啟南先生（以下簡稱“嚴總”）。
Cree亞太區(qū)銷售總監(jiān)嚴啟南先生
產(chǎn)品——卓越性能 應用廣泛
Si是一種性能通用、價格便宜的半導體材料，應用范圍相當廣泛，但在某些應用方面存在一些不足，如：高溫、高壓作業(yè)方面。以肖特基二極管為例，嚴總說到，利用Si片無法做到高壓肖特基二極管，一般為60V、100V，最高也只能達到200V。但將同樣的工藝用在SiC方面，卻可以做到600V、1000V、2000V。
關于SiC材料的特點，嚴總將其和Si材料進行了對比。碳化硅半導體的能帶間隔為硅的2.8倍，其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍，其導熱率是硅的3.3倍。與碳化硅相同耐壓的硅相比，其漂移電阻區(qū)的厚度薄了一個數(shù)量級，其雜質(zhì)濃度可為硅的2個數(shù)量級，由此，碳化硅的單位面積的阻抗僅為硅的百分之一。另外，碳化硅功率器件可在400℃的高溫下正常工作，還可利用體積微小的器件控制很大的電流。
碳化硅具有硬度高、抗高溫性能好，熱導率高等特點，廣泛適用于各種工業(yè)領域。幾年以前，碳化硅(SiC)還在被人們認為是功率器件的一種可選材料，碳化硅功率器件的卓越動態(tài)性能使其成為邁入了工業(yè)應用階段最初的推動力量。
首先商品化的SiC器件是肖特基二極管，據(jù)嚴總介紹，目前，以SiC為材料的肖特基二極管已應用在一些對電壓、環(huán)境、溫度及效率要求相對較高的地方，如PDP電視機、逆變空調(diào)、電動車馬達驅(qū)動等，可明顯提高產(chǎn)品效率，改善使用成本。
市場——品質(zhì)高端、前景光明
碳化硅具有卓越的性能，其適用范圍也非常廣泛，可以說是理想的半導體材料。然而，正是因為其卓越的性能，使得其制作成本高，和普通硅片相比，SiC材料價格相對較高。價格在某種程度上決定了其應用范圍，目前，SiC材料僅用在一些高端產(chǎn)品和需求較高的場合。如何擺脫價格因素帶來的應用限制，成為當前最需解決的問題。
針對這一情況，嚴總給出了答案，由于SiC的良好性能，應用可靠性好，壽命長（至少是50年），可以明顯提高產(chǎn)品的效率，降低消耗度，在實際應用上并不會加重客戶的成本。只使用普通硅片的1/8至1/10，就可以帶來比使用普通硅片更好的效果，因此，只要加深對SiC的了解，正確應用，SiC所發(fā)揮的作用會很大。用SiC材料制作的肖特基二極管將越來越多地受到用戶的青睞。
談到SiC肖特基二極管的應用前景，嚴總非�？春谩�
當前，環(huán)保逐步被提上日程，生產(chǎn)綠色節(jié)能電源已成大勢所趨，企業(yè)為了生產(chǎn)節(jié)電產(chǎn)品不斷摸索。這時候，SiC肖特基二極管的優(yōu)點就顯現(xiàn)無遺。嚴總舉了一個鮮明的例子，有一家LCD企業(yè)，為了使產(chǎn)品達到EPA（美國環(huán)境保護署）標準，試用了多種半導體器件，不但價格昂貴，其效果也不盡人意。最終，他們選擇了Cree的SiC肖特基二極管，使產(chǎn)品順利達標。
電動車時代的來臨也給SiC肖特基二極管市場帶來了契機。如果將電動車馬達驅(qū)動的二極管替換成SiC肖特基二極管，不但能提高3%的效率（每輛電動車需40K瓦功耗），還可以降低冷卻系統(tǒng)的消耗，節(jié)省的能源和冷卻系統(tǒng)將是一筆不小的財富。
可以說，通過不斷的發(fā)展，未來15年之內(nèi)，SIC將成高壓半導體的主流。這也對Cree的發(fā)展指明了方向。嚴總談到， Cree將繼續(xù)在綠色節(jié)能方面進一步去突破SiC的應用。
企業(yè)——立足研發(fā) 服務全球
成立于1987年的Cree，是全球唯一量產(chǎn)SiC半導體材料的公司，占據(jù)了全球SiC基材料90%以上市場和50%以上SiC肖特基二極管市場，。從最初生產(chǎn)LED發(fā)展到量產(chǎn)LED、芯片、POWER LED、高頻MOS管等多款產(chǎn)品，Cree經(jīng)歷了一次又一次的飛躍。
Cree引領了全球SiC半導體材料及器件的發(fā)展，同樣，Cree在SiC半導體市場的發(fā)展也吸引了眾多目光和追隨者，但由于尖端技術(shù)的限制，使得很多企業(yè)不得不放棄這塊“蛋糕”。當然，也有部分企業(yè)投入了大量人力物力進行研發(fā)，并取得了一定的成績。如TOYOTA，為了大力發(fā)展其電力汽車，專門成立部門研發(fā)SiC半導體器件。據(jù)嚴總介紹，目前，中國國內(nèi)有不少企業(yè)生產(chǎn)SiC，同樣由于技術(shù)要求而無法形成單晶像，不能做到半導體等級。因此，他們更多是用于制作人造鉆石，用于研磨、切割等其他領域的應用。
隨著全球經(jīng)濟的進一步發(fā)展，服務方面的競爭成為企業(yè)間競爭的又一焦點。作為全球性企業(yè)之一，Cree尤其看重技術(shù)方面的服務。Cree是一家立足科研，專門研究生產(chǎn)SiC材料及器件的公司，因此，Cree在技術(shù)應用方面具備強大的優(yōu)勢。以亞太區(qū)為例，Cree在香港科學園建立了兩個實驗室，一個功率半導體實驗室，一個光電實驗室。因此，在整個亞太地區(qū)，客戶從開發(fā)到生產(chǎn)的一切疑難，Cree香港實驗室都可以提供專業(yè)的技術(shù)服務。
可以說，從SiC基片到肖特基二極管，從技術(shù)、生產(chǎn)到銷售、服務，Cree打造了一個完善的產(chǎn)品鏈，促進其全球市場的拓展和維護。
中國市場——針對特殊領域 加強應用推廣
近幾年，Cree在全球有針對性的推廣功率半導體器件。在中國市場，據(jù)嚴總介紹， Cree在已經(jīng)有幾家代理公司，以深全力電子（深圳）有限公司為主。針對中國的市場需求，Cree將在幾個特殊應用領域開始自己的市場，如：要求比較嚴格、環(huán)保的電源；空調(diào)、電動汽車、通訊方面用的開關電源；速變電壓等。
本刊工作人員與嚴總及深全力執(zhí)行董事彭振明先生（居中）合影
Cree是中國市場注入的新鮮血液，雖然踏入中國市場的時間不長，但是Cree已經(jīng)嘗到了收獲的喜悅。他們的產(chǎn)品初步得到了一些上規(guī)模企業(yè)的認可。當然Cree不會滿足于這點成績。對此，嚴總談到，Cree將通過召開技術(shù)研討會，新產(chǎn)品發(fā)布會等方式，讓更多的人知道Cree，了解Cree，引導企業(yè)的技術(shù)工程師，加深對SiC器件的充分認識，正確應用，從而達到雙贏。
目前，SiC器件卓越性能及其發(fā)展?jié)摿Ρ妒荜P注，對于剛剛進入中國市場的Cree來說，同樣被寄予了期待和厚望。人們不會拒絕優(yōu)秀，相信Cree在SiC器件不斷取得新的突破，獲取更大的應用領域的同時，能給中國半導體應用領域帶來新的飛躍！
附：
Cree（納斯達克交易代碼：CREE）創(chuàng)建于1987年，位于美國加利福尼亞洲。研制開發(fā)并生產(chǎn)基于碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）及相關化合物的材料與設備。公司的產(chǎn)品包括綠光、藍光和紫外光LED，近紫外激光、射頻和微波半導體設備，電源轉(zhuǎn)換設備和半導體集成芯片。這些產(chǎn)品的目標應用包括固態(tài)照明、光學存儲、無線基礎和電路轉(zhuǎn)換等。2005年，Cree銷售額為3.89億美元，預計2006年將達4.5億美元，公司大部分利潤來自于LED產(chǎn)品和SiC、GaN材料的生產(chǎn)，產(chǎn)品銷往北美、歐洲和亞洲。 |
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