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| 新聞ID號(hào)： |
7319 |
無(wú)標(biāo)題圖片 |
| 資訊類型： |
產(chǎn)業(yè)縱橫 |
| 所屬類別： |
通信電源； 電力電源； 元器件； 其他 |
| 關(guān) 鍵 字： |
產(chǎn)經(jīng)網(wǎng) |
| 內(nèi)容描述： |
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| 發(fā)布時(shí)間： |
2006/7/24 9:54:03 |
| 更新時(shí)間： |
2006/7/24 14:20:28 |
| 審核情況： |
已審核開(kāi)通[2006/7/24 9:54:03] |
| 瀏覽次數(shù)： |
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| 新聞來(lái)源： |
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| 鏈 接： |
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| 責(zé)任編輯： |
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| 發(fā) 布 者： |
電源在線 |
| 圖片文件： |
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| 管理操作： |
修改 設(shè)置為未審核 發(fā)布新聞資訊 |
| 內(nèi) 容： |
中國(guó)是世界上的能源消耗大國(guó)，由于中國(guó)能源生產(chǎn)的短缺和不均衡，已連續(xù)幾年出現(xiàn)“電荒”現(xiàn)象。為解決“電荒”問(wèn)題，我國(guó)政府也頒布了一些法令以提高能效。目前我國(guó)已經(jīng)開(kāi)始針對(duì)某些產(chǎn)品提出能效要求，而且還對(duì)冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)之類的產(chǎn)品進(jìn)行能效標(biāo)志，此外，歐美發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)某些電子產(chǎn)品有直接的能效要求，如果國(guó)內(nèi)想要出口，就必須滿足其能效要求，所有這些提高能效的要求將會(huì)給功率器件市場(chǎng)帶來(lái)更大的機(jī)會(huì)。
除了能效需求之外，各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的下游制造市場(chǎng)將拉動(dòng)未來(lái)我國(guó)功率芯片市場(chǎng)的快速發(fā)展。目前，我國(guó)已經(jīng)是很多IT數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)基地。未來(lái)，筆記本、LCD顯示器和數(shù)字電視等產(chǎn)品的產(chǎn)量還將保持快速增長(zhǎng)，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將在下游整機(jī)市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下保持平穩(wěn)快速的發(fā)展。3G應(yīng)用的推廣必將為成為我國(guó)網(wǎng)絡(luò)通信類功率半導(dǎo)體市場(chǎng)新的增長(zhǎng)點(diǎn)，從而帶動(dòng)我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展，高清電視等方面的應(yīng)用也將在一定程度上刺激我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的快速發(fā)展。
隨著產(chǎn)品能效要求的提高以及開(kāi)關(guān)頻率的提高，功率IC、MOSFET和IGBT將是增長(zhǎng)最快的產(chǎn)品，功率IC將向功能更強(qiáng)、體積更小的方向發(fā)展，MOSFET也將向?qū)娮韪�、耐壓更高和外形更小的方向發(fā)展，IGBT使用HVIC進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的比例將會(huì)提高，類似SPM和IPM的智能模塊將會(huì)占有更高的市場(chǎng)份額。
雖然全球市場(chǎng)發(fā)展趨緩，但國(guó)內(nèi)市場(chǎng)下游整機(jī)需求依然旺盛，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然以較快速度發(fā)展，2005年我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額達(dá)到448.1億元，實(shí)現(xiàn)26.8%的增長(zhǎng)率，明顯高于全球8.2%的增長(zhǎng)水平。但與2004年功率芯片市場(chǎng)相比，2005年我國(guó)市場(chǎng)26.8%的增長(zhǎng)率明顯低于2004年37.1%的增長(zhǎng)率，這主要由于國(guó)內(nèi)網(wǎng)絡(luò)通信類和工業(yè)控制類功率芯片市場(chǎng)發(fā)展速度趨緩所致。憑借MP3和數(shù)碼相機(jī)等數(shù)碼消費(fèi)類市場(chǎng)的高速發(fā)展對(duì)消費(fèi)類功率芯片的市場(chǎng)需求，消費(fèi)電子領(lǐng)域成為2005年我國(guó)功率半導(dǎo)體的最大應(yīng)用市場(chǎng)，占24.6%的市場(chǎng)份額。筆記本、PC和顯示器產(chǎn)量的增加使得計(jì)算機(jī)類所占份額有所提升，達(dá)到18.7%。
電源管理IC和MOSFET是應(yīng)用比較廣泛的產(chǎn)品，在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、計(jì)算機(jī)、汽車電子中都大量使用。得益于近年來(lái)國(guó)內(nèi)整機(jī)產(chǎn)量的增加，電源管理IC和MOSFET需求量保持快速增長(zhǎng)�，F(xiàn)階段雖然IGBT市場(chǎng)份額較小，但發(fā)展快速，其中以1700V以下的應(yīng)用最為成熟。IGBT憑借著較強(qiáng)的耐壓水平以及較高的開(kāi)關(guān)頻率在一些工業(yè)控制產(chǎn)品中逐步替代SCR、GTR成為核心器件。憑借著在電磁爐、數(shù)碼相機(jī)閃光燈、變頻家電中的應(yīng)用，消費(fèi)電子成為IGBT的又一重要應(yīng)用領(lǐng)域。晶閘管是較為成熟的半導(dǎo)體功率器件，在工業(yè)領(lǐng)域中廣泛使用。整流管和雙極晶體管技術(shù)最為成熟，其應(yīng)用也十分廣泛，隨著各種電子設(shè)備開(kāi)關(guān)頻率的提高，上述產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)頻率將難以滿足要求，其應(yīng)用將會(huì)被MOSFET和IGBT的器件進(jìn)一步取代。但由于其成本相對(duì)較低，在對(duì)于頻率要求不高的產(chǎn)品中還將廣泛使用，將來(lái)還將會(huì)保持一定的市場(chǎng)份額。
在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局上，目前我國(guó)分立器件市場(chǎng)中，國(guó)外廠商占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，中國(guó)市場(chǎng)90%以上的市場(chǎng)份額被國(guó)外廠商占據(jù)。 |
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