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| 新聞ID號(hào)： |
698 |
無(wú)標(biāo)題圖片 |
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新品速遞 |
| 所屬類別： |
元器件 其他 |
| 關(guān) 鍵 字： |
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| 內(nèi)容描述： |
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| 發(fā)布時(shí)間： |
2005/1/7 10:36:36 |
| 更新時(shí)間： |
2005/1/7 10:36:36 |
| 審核情況： |
已審核開通[2005/1/7 10:36:36] |
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| 新聞來(lái)源： |
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| 發(fā) 布 者： |
電源在線 |
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飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互補(bǔ)對(duì)稱MOSFET器件——FDC6020C，為微型“點(diǎn)”功率應(yīng)用和負(fù)載點(diǎn)(POL) DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供高于1A的持續(xù)電流。該器件將兩個(gè)MOSFET集成在一個(gè)超小型的SuperSOT-6 FLMP封裝(倒裝導(dǎo)模封裝)中。
FDC6020C具有良好的熱性能和高效率特性，適用于機(jī)頂盒、數(shù)碼相機(jī)和硬盤驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品。該器件的低壓門限(VGS = 2.5V)可簡(jiǎn)化采用3.3V總線轉(zhuǎn)換器或單節(jié)鋰離子電池供電的設(shè)計(jì)。當(dāng)沒(méi)有高門驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，使用FDC6020C則無(wú)需設(shè)計(jì)充電泵電路。此外，該器件的每一個(gè)MOSFET都具有優(yōu)良的RDS(on)特性(在4.5V時(shí)， P溝道為52mΩ，N溝道為27mΩ)。FDC2060C的結(jié)點(diǎn)至外殼熱阻抗(1℃/W)及結(jié)點(diǎn)至周邊環(huán)境熱阻抗(68℃/W)有助于達(dá)到最高電流密度，并同時(shí)維持最佳工作溫度。
FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封裝，其面積僅為9mm2，最大側(cè)高為0.8mm。這種先進(jìn)的封裝形式無(wú)須傳統(tǒng)的金屬線連接，不但提供低電阻抗，而且可以維持所需的關(guān)鍵性機(jī)械公差特性，使到晶片反面和封裝反面共面。這種共面結(jié)構(gòu)在PCB和MOSFET晶片(漏極連接)之間提供低熱阻抗通路。
這種無(wú)鉛產(chǎn)品能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合將于2005年生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。FDC6020器件有現(xiàn)貨供應(yīng)，訂購(gòu)1, 000個(gè)時(shí)每個(gè)0.76美元(僅供參考)。交貨期為收到訂單后8周內(nèi)。
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