中國北京-2022年5月17日–移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適用于主流的800V總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。
UnitedSiC/Qorvo功率器件總工程師Anup Bhalla表示：“我們通過更高性能的第四代器件擴充了1200V產(chǎn)品系列，為工程師將總線設(shè)計電壓提高到800V提供了有力支持。在電動汽車中，這種電壓升高無法避免；這些新器件支持四種不同的RDS(on)（漏源導(dǎo)通電阻）等級，有助于設(shè)計師為每項設(shè)計選擇合適的SiC器件�！�
以下SiC FET出色的品質(zhì)因數(shù)展現(xiàn)了全新UF4C/SC系列的性能優(yōu)勢：
所有RDS(on)選項（23、30、53和70毫歐）都采用行業(yè)標準的4引腳開爾文源極TO-247封裝，以更高的性能水平提供更清潔的開關(guān)。53和70毫歐的器件也可采用TO-247三引腳封裝。該系列器件采用先進的銀燒結(jié)芯片貼裝和晶圓減薄工藝，通過良好的熱性能管理實現(xiàn)了出色的可靠性。
此外，F(xiàn)ET-Jet Calculator™免費在線設(shè)計工具支持所有1200V SiC FET；可以即時評估在各種AC/DC和隔離式/非隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)中所用器件的效率、組件損耗和結(jié)溫上升指標。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個和并聯(lián)器件，以獲取優(yōu)化解決方案。
全新1200V第四代SiC FET售價（1000件起，美國離岸價）為5.71美元(UF4C120070K3S)到14.14美元(UF4SC120023K4S)。所有器件均通過授權(quán)經(jīng)銷商銷售。
Qorvo的碳化硅和電源管理產(chǎn)品面向工業(yè)、商業(yè)和消費電子領(lǐng)域的充電、驅(qū)動和控制應(yīng)用。