東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率
中國上海，2022年3月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關(guān)操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開關(guān)電源的電磁干擾（EMI）。該產(chǎn)品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。
與此同時，東芝還提供各類工具，為開關(guān)電源的電路設(shè)計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，現(xiàn)在還提供能精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝將進一步擴大其MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗提高設(shè)備電源效率，進而幫助其降低功耗。
應(yīng)用：
-通信設(shè)備電源
-開關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）
特性：
-優(yōu)異的低損耗特性（在導(dǎo)通電阻和柵開關(guān)電荷及輸出電荷間取得平衡）
-卓越的導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值） VGS＝10V
-高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃
主要規(guī)格：
注：
[1]截至2022年3月的東芝調(diào)查。
[2]柵極開關(guān)電荷和輸出電荷。
[3]與現(xiàn)有產(chǎn)品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，該產(chǎn)品將漏源導(dǎo)通電阻×柵開關(guān)電荷提高了大約20%，漏源導(dǎo)通電阻×輸出電荷提高了大約28%。