如今，在NAND閃存行業(yè)中，隨處可見存儲密度又達到新高的各種新聞。閃存早已實現(xiàn)了100層以上的技術(shù)，并且在短期內(nèi)似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
目前的趨勢是隨著層數(shù)穩(wěn)步提高的同時在每個單元中存儲更多位元。目前的主流技術(shù)是TLC（三層單元，Triple Level Cell），每個單元存儲3位元，其中的“層”指的是比特數(shù)，而不是內(nèi)部狀態(tài)。需要存儲和讀取的內(nèi)部狀態(tài)的數(shù)量是存儲的位元數(shù)的2次方——3位就意味著需要識別8種不同的狀態(tài)。目前的趨勢是通過QLC技術(shù)（四層單元，每單元4位元）在相同尺寸的芯片中實現(xiàn)更大的存儲容量。QLC具有16個狀態(tài)，因此實現(xiàn)起來并不輕松。
隨著芯片每平方厘米所存儲的信息量的增加，可實現(xiàn)的寫入周期數(shù)也會相應(yīng)減少。SLC（單層單元，每單元1位）每個單元可以重寫60000到100000次，而MLC（多層單元，每單元2位）的寫入次數(shù)減少到了只有3000次。在從平面MLC過渡到3D TLC（2位到3位）后，由于3D電荷捕獲型閃存具有更佳的單元特性，其被證明還是具有3000次循環(huán)壽命。QLC會減少到1000左右，而下一個階段的PLC（五層單元，每個單元5位=32個狀態(tài)）會減少到小于100。PLC已經(jīng)通過了原型階段，以后會成為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的主流NAND，例如Google和Facebook的應(yīng)用方式，數(shù)據(jù)只寫入一次，然后頻繁讀�。╓ORM=一次寫入，多次讀�。�
圖1：不同NAND操作模式下的電荷分布
嚴(yán)苛要求與高價格
與前述的應(yīng)用相對，頻繁寫入少量數(shù)據(jù)的應(yīng)用仍然會存在，例如傳感器數(shù)據(jù)記錄、本地物聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)庫和狀態(tài)信息記錄等。與寫入數(shù)兆字節(jié)的數(shù)據(jù)相比，寫入幾個字節(jié)或數(shù)千字節(jié)的小數(shù)據(jù)包對NAND閃存的損耗更快。
對于這些應(yīng)用而言，老技術(shù)的SLC是最好的存儲介質(zhì)。由于每個塊（Block）較小以及高達100000次的擦除周期數(shù)，使用SLC的存儲模塊通常會比設(shè)備本身的實際使用壽命更耐久。此外，SLC溫度敏感性較低，對控制器的糾錯能力要求也較低，所有這些都對長期穩(wěn)定性有積極影響。
然而，替換掉嚴(yán)苛要求應(yīng)用中的SLC的主要原因可以歸結(jié)為另一個重要的考慮因素：價格。SLC技術(shù)正面臨“先有雞還是先有蛋”的困境：由于技術(shù)較老、成本更高，主流正在逐漸遠(yuǎn)離SLC，同時這正是不值得將SLC轉(zhuǎn)換成更現(xiàn)代技術(shù)的原因。
圖2：NAND技術(shù)比較
偽SLC是具有競爭力的折衷
如今，采用SLC技術(shù)的單個芯片最大容量為32 Gbit，典型芯片面積為100 mm²。另一方面，普通的價格相似的3D NAND TLC芯片達到了512 Gbit的容量，不久后還會達到1 Tbit。也就是說，TLC技術(shù)的價格是SLC的1/16。
讓我們從系統(tǒng)層面來看這種影響：TLC控制器更復(fù)雜、更昂貴，使用512 Gbit NAND芯片的驅(qū)動器最小容量為32 GB。這對于數(shù)據(jù)中心或家庭用戶來說沒有什么問題。在使用TLC的情況下，某些尺寸的驅(qū)動器容量往往會超過1 TB。但是，對于工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用或作為網(wǎng)絡(luò)和通信系統(tǒng)的引導(dǎo)驅(qū)動器而言，情況就有所不同。在這些情況下，盡管負(fù)荷更高，但通常幾GB容量就夠用了。
最理想的情況是大批量生產(chǎn)的采用最新3D NAND技術(shù)且具有成本效益的SLC芯片。SLC的定義是單層單元（即每單元一位），事實證明這對于所有最新的NAND閃存產(chǎn)品也是確實可行的。但是，必須讓內(nèi)部控制器只在兩種狀態(tài)下工作：已擦除和已編程，1和0。這種操作模式稱為pSLC或偽SLC。
優(yōu)點大于缺點
通過僅使用兩個內(nèi)部狀態(tài)，可以以較低的電壓實現(xiàn)編程。這可以保護存儲晶體管中敏感的氧化硅并延長其使用壽命。由于電子設(shè)備只需要區(qū)分兩種狀態(tài)，因此相比存在32種狀態(tài)的情況而言信噪比會高很多。與TLC和QLC相比，所存儲的值損毀所需的時間也更長。
這兩種效應(yīng)使得pSLC可實現(xiàn)的編程和擦除周期數(shù)從TLC的3000提高到了30000到60000之間。這種操作模式使TLC進入了“真正”SLC技術(shù)的范圍內(nèi)。
2D MLC NAND也能在pSLC模式下運行。在這種情況下，每個單元只使用兩個位元中的一個，因此容量減半。僅寫入一位也會有速度優(yōu)勢。在價格方面，顯然，每位的成本翻了一番，因為每個芯片只有一半的容量可用。使用TLC技術(shù)僅僅使用每個單元的三位中的一位。因此，要實現(xiàn)相同的存儲容量，成本將會是原來的三倍。盡管如此，這仍然比真正的SLC NAND便宜很多。
pSLC所帶來的“新”存儲容量
芯片容量減少到原來的三分之一會使SSD的容量變得不那么常見。在二進制的信息世界中，人們習(xí)慣于使用2的次方來計算容量，如64、128、256、512 GB等。然而，隨著3D NAND的問世，閃存內(nèi)部需要更多存儲容量以實現(xiàn)緩存或RAID或預(yù)留空間（用于加速寫入和延長使用壽命）。所以最終的容量可能是30、60、120、240、480 GB等。
如果再考慮到pSLC減少三分之二容量，其結(jié)果會是不常見的驅(qū)動器容量：480 GB TLC SSD會變成160 GB pSLC SSD，但是與480 GB TLC SSD一樣價格。使用固定的系統(tǒng)環(huán)境映像的嵌入式或網(wǎng)絡(luò)和通信市場的小容量產(chǎn)品仍然使用二進制容量數(shù)值。對于這些情況，用戶可用容量會縮小到最接近的的二進制容量，其優(yōu)點是使用壽命會再次不成比例地放大。但是，每GB可用容量的價格也略有提高。
結(jié)論
pSLC是對經(jīng)典SLC存儲器技術(shù)的最佳補充，是理想的能夠使3D NAND技術(shù)達到SLC壽命的經(jīng)濟高效解決方案。唯一的“缺點”是不常見的驅(qū)動器容量，如10、20、40、80、160 GB。
為此，工業(yè)存儲器制造商Swissbit為幾乎所有MLC和3D TLC NAND產(chǎn)品提供了pSLC模式選項。真正的SLC產(chǎn)品將長期保留在公司的產(chǎn)品線上，因為真正的SLC無與倫比的優(yōu)勢是它不需要每兩年更換一次，從而節(jié)省了重新認(rèn)證的成本。對于醫(yī)療技術(shù)、自動化和運輸?shù)染哂泻荛L產(chǎn)品生命周期和高標(biāo)準(zhǔn)化要求的市場，SLC仍然沒有替代品。