2021年8月3日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）NCP1632 Interleaved PFC的1KW電機(jī)驅(qū)動器解決方案。
圖示1-大聯(lián)大世平推出基于ON Semiconductor NCP1632電機(jī)驅(qū)動器方案的展示板圖（一）
隨著節(jié)能化、智能化、信息化的迅速發(fā)展，電機(jī)在汽車、工業(yè)、智能家電、智慧城市等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在工業(yè)領(lǐng)域，作為工業(yè)自動化系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，電機(jī)在實(shí)現(xiàn)節(jié)能方面具有核心作用。而隨著自動化進(jìn)程的進(jìn)一步發(fā)展，電機(jī)驅(qū)動將成為未來工業(yè)設(shè)施的中堅(jiān)力量。由大聯(lián)大世平基于ON Semiconductor NCP1632 Interleaved PFC推出的1KW電機(jī)驅(qū)動器解決方案，支持各種低電壓電機(jī)，包括有刷、無刷和步進(jìn)電機(jī)，并且能夠提供可隔離及高性能的運(yùn)算放大器，從而保證用電安全及系統(tǒng)的完整性。
圖示2-大聯(lián)大世平推出基于ON Semiconductor NCP1632電機(jī)驅(qū)動器方案的展示板圖（二）
ON Semiconductor專注于提高電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的效率，同時為更高的電流、更精確的控制和更可靠的系統(tǒng)提供設(shè)計(jì)支持。此次完整的電機(jī)驅(qū)動解決方案，通過結(jié)合領(lǐng)先的MOSFET、IGBT、柵極驅(qū)動器和電源模組等器件，可滿足業(yè)界對于高性能電機(jī)驅(qū)動的要求。
圖示3-大聯(lián)大世平推出基于ON Semiconductor NCP1632電機(jī)驅(qū)動器方案的實(shí)體圖
該方案的主芯片采用ON Semiconductor的NCP1632兩相交錯式功率因數(shù)控制器，該控制器采用SOIC8封裝，電路包含構(gòu)建強(qiáng)固和緊湊的交錯式PFC段所需的所有特性，能夠最大限度地減少外部元件。在設(shè)計(jì)上，NCP1632集成了一個雙MOSFET驅(qū)動器用于交錯式PFC應(yīng)用。交錯段由兩個小段并聯(lián)而成，因此，具有易于使用和散熱等特點(diǎn)。另外，NCP1632采用的兩相交錯方式擴(kuò)展了臨界導(dǎo)通模式的功率范圍，這可以為產(chǎn)品提供較高的效率水平。
圖示4-大聯(lián)大世平推出基于ON Semiconductor NCP1632電機(jī)驅(qū)動器方案的方塊圖
核心技術(shù)優(yōu)勢：
全負(fù)載條件下（含動態(tài)負(fù)載）維持180度相位精準(zhǔn)交互切換；
DCM非連續(xù)導(dǎo)通模式與CrM臨界導(dǎo)通模式操作；
Frequency Clamped Critical Conduction Mode（限頻臨界導(dǎo)通模式），優(yōu)化全負(fù)載操作效率；
Frequency Fold-Back頻率反走操作模式，在輕載降低操作頻率，減少切換損失提高輕載效率；
精準(zhǔn)的零電流偵測（Zero Current Detection）機(jī)制，確保MOSFET在谷底低電壓導(dǎo)通，降低導(dǎo)通損失；
輸入電壓及輸出負(fù)載劇烈變動補(bǔ)償電路Fast Line/Load Transient Compensation，提高系統(tǒng)響應(yīng)速度；
獨(dú)立的pfcOK Pin提供信號通知系統(tǒng)已經(jīng)穩(wěn)定操作；
輸出過電壓及低電壓保護(hù)（OVP/UVP）；
Soft-Start緩啟動機(jī)制，使系統(tǒng)（Smooth）平滑啟動，減少切換元件損壞機(jī)率；
無鉛無鹵素及符合歐盟有害物質(zhì)管制標(biāo)準(zhǔn)。
方案規(guī)格：
輸入230Vac之850W電機(jī)驅(qū)動方案，具備功率因數(shù)調(diào)整器（Power Factor Correction）及EMI濾波電路；
基于Xilinx Zynq-7000 SoC.平臺，相容UCB（Universal Controller Board）；
采用ON Semiconductor高集成模組NFAQ1060LT36T，內(nèi)建3相高壓Inverter采DIP-S3包裝；
PFC電路切換元件采用ON Semiconductor第三代SuperJunction MOSFET FCPF125N65S3 NMOS及SiC（碳化硅）Diode FFSPF1065A輸出整流二極體；
DC/DC Converter由ON Semiconductor非隔離降壓轉(zhuǎn)換器（Non-Isolated Buck Converter）NCP1063提供15Vdc輔助電源電壓；
3相電流偵測采用3組ON Semiconductor電流運(yùn)算放大器IC NC32003；
過電流保護(hù)電路采用ON Semiconductor電流比較器NCS2250。