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| 新聞ID號(hào)： |
62247 |
無(wú)標(biāo)題圖片 |
| 資訊類(lèi)型： |
新品速遞 |
| 所屬類(lèi)別： |
連接器及端子； 散熱器； PCB/輔助材料； 其他 |
| 關(guān) 鍵 字： |
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| 內(nèi)容描述： |
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| 發(fā)布時(shí)間： |
2019/9/30 18:21:22 |
| 更新時(shí)間： |
2019/9/30 18:21:22 |
| 審核情況： |
已審核開(kāi)通[2019/9/30 18:20:53] |
| 瀏覽次數(shù)： |
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| 新聞來(lái)源： |
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| 鏈 接： |
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| 責(zé)任編輯： |
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| 發(fā) 布 者： |
電源在線(xiàn) |
| 圖片文件： |
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| 管理操作： |
修改 設(shè)置為未審核 發(fā)布新聞資訊 |
| 內(nèi) 容： |
2019年9月26 日 – 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵 (GaN) 電源產(chǎn)品系列，與傳統(tǒng)硅替代方案相比，擁有更高的效率與功率密度，以及更小的整體系統(tǒng)尺寸，并專(zhuān)門(mén)針對(duì)速度關(guān)鍵型功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。LMG1210能實(shí)現(xiàn)超高性能與高效運(yùn)行，并具有10 ns的超短傳播延遲，優(yōu)于傳統(tǒng)硅半橋驅(qū)動(dòng)器。此器件還具有1 pF的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和用戶(hù)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制，可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)內(nèi)的死區(qū)時(shí)間，進(jìn)而改善效率。
LMG1210擁有3.4 ns高側(cè)/低側(cè)延遲匹配、4 ns最小脈寬和內(nèi)部LDO，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。本驅(qū)動(dòng)器還具備超過(guò)300 V/ns的業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTT)，可實(shí)現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗擾性。
TI LMG1210驅(qū)動(dòng)器適用于高速DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、D類(lèi)音頻放大器、E類(lèi)無(wú)線(xiàn)充電、RF包絡(luò)跟蹤以及其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.mouser.cn/ti-lmg1210-mosfet-gan-fet-drivers。
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