2019年9月5日—推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，憑借不斷增長(zhǎng)的符合IEEE802.3bt標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品和技術(shù)陣容引領(lǐng)行業(yè)。以太網(wǎng)供電(PoE)使用新的IEEE802.3bt標(biāo)準(zhǔn)，可用于通過(guò)局域網(wǎng)(LAN)聯(lián)接提供高達(dá)90 W的高速互聯(lián)。安森美半導(dǎo)體的方案不僅支持新標(biāo)準(zhǔn)的功率限制，還將功率擴(kuò)展到100 W用于電信和數(shù)字標(biāo)識(shí)等系統(tǒng)。
新的IEEE802.3bt PoE標(biāo)準(zhǔn)有潛力變革物聯(lián)網(wǎng)(IoT)所涉及的每個(gè)垂直市場(chǎng)，使更精密的端點(diǎn)可在更大的網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行。IEEE802.3bt標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)新的“Autoclass”特性優(yōu)化能量管理，令受電設(shè)備(PD)將其特定的功率需求傳遞給供電設(shè)備(PSE)。這也令每個(gè)PSE僅向每個(gè)PD分配適當(dāng)?shù)墓β柿�，從而最大化可用能量和帶寬�?/P>
與IEEE 802.at標(biāo)準(zhǔn)(PoE+)提供的30 W相比，IEEE 802.3bt可提供高達(dá)90 W的功率和互聯(lián)到新的應(yīng)用，無(wú)需專用且通常為離線的電源。PoE將簡(jiǎn)化網(wǎng)絡(luò)拓?fù)�，并提供更�?qiáng)固的“即插即用”用戶體驗(yàn)。
商業(yè)信息提供商IHS Markit電源半導(dǎo)體高級(jí)分析師Kevin Anderson說(shuō)：“以太網(wǎng)供電是當(dāng)今電源半導(dǎo)體發(fā)展最快的市場(chǎng)之一，預(yù)計(jì)2017年到2022年的復(fù)合平均單位增長(zhǎng)率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應(yīng)用，如更高功率聯(lián)接的照明、聯(lián)網(wǎng)的高分辨率監(jiān)控?cái)z像機(jī)和高性能無(wú)線接入點(diǎn)�！�
NCP1095和NCP1096接口控制器構(gòu)成安森美半導(dǎo)體PoE-PD方案的基礎(chǔ)，具有實(shí)施PoE接口所需的所有特性，包括檢測(cè)、自動(dòng)分類和限流�？刂破鞑捎靡粋�(gè)外部(NCP1095)或內(nèi)部(NCP1096)熱插拔FET。NCP1096集成的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導(dǎo)通電阻�？刂破髋湟訬CP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge四通道MOSFET，為PoE應(yīng)用中的二極管橋提供更有效的替代方案。這些器件賦能高效的PoE接口，最高可達(dá)標(biāo)準(zhǔn)的90 W功率限制，若需更高的功率，可用專用的100 W方案。
安森美半導(dǎo)體工業(yè)和離線電源方案副總裁Ryan Cameron說(shuō)：“作為一家講究高能效的公司，我們很高興能促進(jìn)PoE充分發(fā)揮潛力。我司提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案，使這技術(shù)更容易廣及所有開發(fā)工程師，有助于使更多聯(lián)接的設(shè)備具有保證的互操作性�！�
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