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Vishay推出的新款60V MOSFET是業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件
新聞ID號(hào):  62119 無(wú)標(biāo)題圖片
資訊類(lèi)型:  新品速遞
所屬類(lèi)別:  功率器件
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發(fā)布時(shí)間:  2019/8/15 11:16:58
更新時(shí)間:  2019/8/15 11:16:58
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  賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件,10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 mW,采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK®1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率和功率密度,柵極電荷僅為22.5 nC,同時(shí)具有低輸出電荷(QOSS)。

  與邏輯電平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平臺(tái)電壓,適用于柵極驅(qū)動(dòng)電壓高于6 V的電路,器件最佳動(dòng)態(tài)特性縮短死區(qū)時(shí)間,防止同步整流應(yīng)用發(fā)生擊穿。SiSS22DN業(yè)內(nèi)低導(dǎo)通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4.8%—與領(lǐng)先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC,QOSS與導(dǎo)通電阻乘積,即零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或開(kāi)關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)中,MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)達(dá)到最佳水平。為實(shí)現(xiàn)更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封裝類(lèi)似解決方案節(jié)省65%的PCB空間。

  SiSS22DN改進(jìn)了技術(shù)規(guī)格,經(jīng)過(guò)調(diào)校最大限度降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,多電源管理系統(tǒng)構(gòu)件可實(shí)現(xiàn)更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換器主邊開(kāi)關(guān)、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器半橋MOSFET功率級(jí),以及通信和服務(wù)器電源OR-ing功能、電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和電路保護(hù)、電池管理模塊的電池保護(hù)和充電。

  MOSFET經(jīng)過(guò)100%RG和UIS測(cè)試,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素。

  SiSS22DN現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為30周,視市場(chǎng)情況而定。

  VISHAY簡(jiǎn)介

  Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

  TrenchFET和PowerPAK是Siliconix的注冊(cè)商標(biāo)