三菱大功率IGBT半導(dǎo)體模塊:采取最優(yōu)化CSTBT硅片技術(shù),內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻,全系列共享同一封裝平臺(tái),具有競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比等等。
產(chǎn)品包括:
CBI:600V/1200V 35-100A
7單元:600V/1200V 75-200A
2單元:600V/1200V 150-400A
1單元:600V/1200V 400-600A
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