SVD2N60M/F/D N溝道增強型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的S-Rin 平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造。先進的工藝及條狀的原跑設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源.DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PMW馬達驅(qū)動
特點
*2A 600V,RDS(ON)=4.02Ω@VGS=10V
*低柵極極電荷量
*低反向傳輸電容
*開關(guān)速度快
*提升了dv/dt能力