采用最新的CSTBT硅片技術(shù);低飽和壓降Vce(sat);低開通損耗Eon;低關(guān)斷損耗Eoff;高短路承受力(不需要RTC);降低柵極電容,柵極驅(qū)動功率接近平板型IGBT;采用AlN絕緣基層形成優(yōu)異的熱阻特性,比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的熱阻;比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的成本結(jié)構(gòu);按IEC747-15標準定義溫度和熱阻 , 低成本設(shè)計,適合中、低端變頻器產(chǎn)品設(shè)計
CM100DY-24A 100A/1200V/2U
CM150DY-24A 150A/1200V/2U
CM200DY-24A 200A/1200V/2U
CM300DY-24A 300A/1200V/2U
CM400DY-24A 400A/1200V/2U
CM600DY-24A 600A/1200V/2U