IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算
作者:Markus Hermwille 上傳時間:2008/12/15 15:27:57
摘要:絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件,驅(qū)動器的合理設(shè)計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮,介紹了一些計算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動器輸出性能的方法。
敘詞:IGBT,驅(qū)動器,柵極電荷
Abstract:Isolated gate bipolar transistors (IGBTs) are widely used power semiconductor devices. Properly designed drivers are extremely important for the effective use of IGBTs. This article takes gate charge characteristics into account and then introduces some methods for calculating output performance of drivers used for switching IGBTs.
Keyword:IGBT, driver, gate charge
說明:本站會員正確輸入用戶名和密碼進行登錄系統(tǒng)后才能查看文章詳細內(nèi)容和參與評論。
--本文摘自《電源世界》,已被閱讀2729次
免責聲明:本文僅代表作者個人觀點,與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實,對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。
關(guān)于本文的網(wǎng)友評論:
本文暫時還沒有網(wǎng)友發(fā)表評論信息!