開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析
作者：馬計強(qiáng) 張東來 馬計剛 上傳時間：2006/7/26 10:52:16
摘要：本文研究了開關(guān)電源中MOSFET漏源極電壓電磁干擾的頻譜特性，通過提取MOSFET漏源極時域電壓信號的特征參數(shù)，對其波形進(jìn)行了仿真，分析了該信號電磁干擾的頻譜特點(diǎn)，并分別研究了信號中各參數(shù)對頻譜的影響，Matlab仿真表明該研究結(jié)果對解決電磁干擾問題具有很好的參考和利用價值。
敘詞：電磁干擾，干擾源，Matlab
Abstract：This paper studies the spectrum characteristics of MOSFET Drain-Source voltage of switch power supply. Simulate the waveform of the voltage through extracting the characteristic parameters of the time-domain voltage signal for MOSFET drain-source. Analysis the spectrum characteristics for EMI of the signal and separately researches the effect to spectrum of the parameters in the voltage signal. Matlab simulating shows that research results are very referable and useful to solve the EMI problems.
Keyword：EMI, Source, Matlab
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀6357次
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