功率場效應(yīng)晶體管MOSFET（一）
作者：周志敏 上傳時(shí)間：2005/5/8 16:21:12
摘要：文中闡述了MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動(dòng)態(tài)特性，并對(duì)動(dòng)態(tài)特性的改進(jìn)進(jìn)行了論述，簡介了MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路及其發(fā)展動(dòng)態(tài)。分析了功率MOSFET的幾種驅(qū)動(dòng)電路的技術(shù)特性和功率損耗，闡述了功率MOSFET。介紹了新一代MOSFET—QFET的主要技術(shù)特性，闡述了MOSFET器件的發(fā)展趨勢(shì)和研發(fā)動(dòng)態(tài)及變換器領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)。
敘詞：MOSFET 結(jié)構(gòu) 特性 驅(qū)動(dòng)電路 功率損耗 應(yīng)用
Abstract：This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state、dynamic characteristic，right dynamic characteristic improve on carry out discuss，brief introduction MOSFET drive circuit and develop dynamic。analyze drive circuit technique characteristic and power loss for power MOSFET，elaborate power MOSFET develop current and research dynamic and parts of an apparatus apply advantage indeflector field。。
Keyword：MOSFET frame characteristic drive circuit power loss apply
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀8088次
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