用IGBT代替MOSFET的可行性分析
作者:崔萬恒 趙忠禮 孟玉茹 上傳時間:2004/12/23 11:58:16
摘要:本文用于IGBT代替MOSFET的可行性進(jìn)行了分析.
敘詞:IGBT MOSFET 可行性
Abstract:The feasibility of replacement of MOSFET by IGBT are analyzed in this article.
Keyword:IGBT MOSFET feasibility
說明:本站會員正確輸入用戶名和密碼進(jìn)行登錄系統(tǒng)后才能查看文章詳細(xì)內(nèi)容和參與評論。
--本文摘自《電源世界》,已被閱讀3157次
免責(zé)聲明:本文僅代表作者個人觀點,與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實,對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。
關(guān)于本文的網(wǎng)友評論:
本文暫時還沒有網(wǎng)友發(fā)表評論信息!