時(shí)光飛逝，2006年轉(zhuǎn)眼已過(guò)半程。從2006年上半年的全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展來(lái)看正穩(wěn)健成長(zhǎng)，相比于去年同期已好過(guò)不少。雖然增長(zhǎng)率不是很高，但對(duì)一個(gè)具有2000多億美元的產(chǎn)業(yè)，哪怕只有5%的增長(zhǎng)也超百億美元。半導(dǎo)體工業(yè)正在變革，競(jìng)爭(zhēng)性超過(guò)從前。回顧半年歷程，有一些重要的事件將對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)產(chǎn)生重要影響。
■美國(guó)應(yīng)用材料公司顧問(wèn) 莫大康
CSIA與WSC簽署合作備忘錄
正值世界杯期間，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(CSIA)也“踢出”關(guān)鍵性的一腳。6月15日是一個(gè)重要的日子，CSIA理事長(zhǎng)俞忠鈺與世界半導(dǎo)體理事會(huì)(WSC)2006年輪值主席、美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)主席Brian Halla簽署合作備忘錄。備忘錄的簽署，標(biāo)志中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)與世界主要半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)家與地區(qū)的合作交往翻開了新的一頁(yè)。
申請(qǐng)加入WSC，一方面將有利于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)與全球半導(dǎo)體業(yè)真正融為一體，包括數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)、IP保護(hù)及國(guó)際間合作等。另一方面，開始在國(guó)際統(tǒng)一口徑下辦事，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要求更為嚴(yán)格及迫切。所以，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須以此為契機(jī)，努力跟蹤，尋找合適時(shí)機(jī)，爭(zhēng)取在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。
轉(zhuǎn)移加快兼并加劇
盡管業(yè)界一致認(rèn)為，全球半導(dǎo)體業(yè)將不會(huì)再有如2000年及2004年那樣大起大落的增長(zhǎng)，代之較為溫和的小幅增長(zhǎng)。但是半導(dǎo)體業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)性使“大者恒大”法則幾乎不會(huì)改變。
產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移向附加值更高端發(fā)展是趨勢(shì)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也必須遵循此法則。目前來(lái)看，后道封裝測(cè)試業(yè)已無(wú)疑義地向中國(guó)轉(zhuǎn)移。而對(duì)于芯片制造業(yè)，先進(jìn)國(guó)家有苗頭開始執(zhí)行“輕晶圓廠Fab-lite”策略。比較成功的是摩托羅拉的28個(gè)半導(dǎo)體廠，最終通過(guò)兼并、出售，只剩下9個(gè)。連2000年在中國(guó)天津耗資19億美元建成的新8英寸生產(chǎn)線，最終以2.6億美元的股權(quán)讓給中芯國(guó)際。但這9個(gè)廠都是佼佼者。
2005年成功轉(zhuǎn)移的還有LSIlogic，出售芯片制造廠變成fabless公司；Agilent出售芯片線成為測(cè)試儀供應(yīng)商。近期，其余的若干小廠間兼并也不乏見，如德國(guó)Xfab兼并馬來(lái)西亞的first silicon；日本Epson花費(fèi)8142萬(wàn)美元從IBM手中買回在日本合資廠的股份等。
還有如今正引起全球關(guān)注的是英飛凌的內(nèi)存部門搖身一變，新公司“Qimonda”繼續(xù)闖蕩內(nèi)存市場(chǎng)；以及飛利浦決定分拆其半導(dǎo)體部于今年底上市等。
無(wú)論英飛凌或是飛利浦，一個(gè)共同點(diǎn)都在執(zhí)行“輕晶圓廠”策略，也即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在提升，連晶圓廠制造也逐漸退出代之以向芯片設(shè)計(jì)、IP貿(mào)易及第三方設(shè)計(jì)公司等轉(zhuǎn)移。
市場(chǎng)態(tài)勢(shì)仍不明朗
美國(guó)著名機(jī)構(gòu)WSTS(全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì))的春季預(yù)測(cè)表示，2006年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)為10.1%，達(dá)2500億美元，2007年和2008年將分別再增長(zhǎng)11%及12.8%。
這個(gè)數(shù)據(jù)高于原先WSTS于2005年的秋季預(yù)測(cè)，那時(shí)預(yù)測(cè)2006年增長(zhǎng)為8%。從整體上，半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)看不到周期起伏，僅局部區(qū)域及產(chǎn)品組仍有周期性的形態(tài)。其中亞太地區(qū)增長(zhǎng)最快，原因不僅是需求增長(zhǎng)，而是依靠產(chǎn)能的轉(zhuǎn)移。近期另一家機(jī)構(gòu)Gartner表示因全球PC市場(chǎng)的上升而提升2006年半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)測(cè)，從原先的9.5%調(diào)高至10.6%。
iSuppli在6月28日對(duì)2006年全球半導(dǎo)體業(yè)又做了新的預(yù)測(cè)，從原先的7.4%提高到7.9%。
但是業(yè)界的聲音是不同的，另一家著名機(jī)構(gòu)SIA(半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì))已經(jīng)調(diào)整2006年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)從11%下降至9%，并認(rèn)為2006年半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)可能僅有4%，明確表示全球半導(dǎo)體業(yè)將趨緩。
另一家銀行投資分析機(jī)構(gòu)Handlebanken的分析師在解讀4月的WSTS報(bào)告后認(rèn)為，Intel處理器芯片從數(shù)量上下降21%及價(jià)格下降40%，預(yù)期Intel第二季度的業(yè)績(jī)肯定下降，銷售額將從2005年的340億美元調(diào)整至2006年的330億美元。而其老對(duì)手AMD也在所難免，相應(yīng)銷售額為2005年的34億美元及2006年的33億美元。所以于6月27日對(duì)全球半導(dǎo)體業(yè)又重新做修正，由原來(lái)的6%降低為5%。
全球量大面廣的芯片產(chǎn)品，主要有三類：CPU、存儲(chǔ)器包括閃存及FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)。目前來(lái)看，因Intel與AMD兩家打得不可開交，CPU市場(chǎng)有下降的趨勢(shì)。
全球存儲(chǔ)器業(yè)因MP3、手機(jī)及計(jì)算機(jī)中對(duì)存儲(chǔ)容量的需求上升，從數(shù)量上需求增加不少，但是降價(jià)的壓力也大，光第一季度NAND閃存的價(jià)格下降達(dá)30%。所以總體上全球存儲(chǔ)器業(yè)2005年總計(jì)為471.9億美元，而2006年可為492.5億美元，銷售額凈增長(zhǎng)為4.4%。
無(wú)論如何，全球半導(dǎo)體業(yè)與2005年初因庫(kù)存增大而一片下降的態(tài)勢(shì)相比，2006年上半年的態(tài)勢(shì)是不錯(cuò)的，最根本的原因在于兩大終端產(chǎn)品計(jì)算機(jī)及手機(jī)的需求增長(zhǎng)。據(jù)IDC最新資料，2006年P(guān)C的增長(zhǎng)已由3月時(shí)的預(yù)測(cè)10.5%調(diào)高至10.8%，而手機(jī)的需求增長(zhǎng)可達(dá)18%。另外，一個(gè)很顯見的因素是2006年全球半導(dǎo)體固定資產(chǎn)的投入達(dá)513億美元，相比2005年增加12%，其主要增加因素來(lái)自日本的芯片制造商及DRAM業(yè)。
然而，也有負(fù)面的觀點(diǎn)，如摩根大通首席半導(dǎo)體分析師夏鮑文擔(dān)心IC庫(kù)存問(wèn)題會(huì)在下半年爆發(fā)，并對(duì)PC的庫(kù)存甚為擔(dān)憂。再如全球在第二季度時(shí)，全球fabless廠的庫(kù)存已達(dá)5年來(lái)的新高，預(yù)測(cè)下半年全球半導(dǎo)體的需求將不如從前，可能面臨向下調(diào)的壓力。
對(duì)于全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)有不同的看法是正常的。不過(guò)如今半導(dǎo)體業(yè)已今非昔比，那種強(qiáng)勁增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)已不再重現(xiàn)。半導(dǎo)體業(yè)趨向更加成熟，相對(duì)會(huì)受各種外界干擾的因素變化機(jī)會(huì)增大。另外，最近全球芯片業(yè)的老大Intel與AMD打得不可開交，似乎未見勝績(jī)。相反，傳言中擬出售通訊芯片部門及裁員等已得到證實(shí)，會(huì)給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來(lái)巨大的不利影響，尤其是半導(dǎo)體指數(shù)。
存儲(chǔ)器還是亮點(diǎn)
iSuppli的著名分析師Nam Hyung Kim于最近指出，全球NAND市場(chǎng)已結(jié)束下降趨勢(shì)。
自進(jìn)入2006年以來(lái)，DRAM市場(chǎng)之所以能夠穩(wěn)健發(fā)展，不再像過(guò)去那樣出現(xiàn)大起大落，NAND Flash可謂功不可沒(méi)。今年第一季度以來(lái)，盡管全球NAND Flash售價(jià)出現(xiàn)大幅下滑，達(dá)30%，足以與2005年一整年的跌幅相抗衡。但是即便如此，對(duì)于眾多DRAM廠而言還是不畏艱難，持續(xù)將DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)入NAND Flash。
DRAM廠之所以如此義無(wú)反顧，在于NAND Flash的利潤(rùn)豐厚，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM。因此到目前為止，還未見有轉(zhuǎn)入NAND Flash產(chǎn)能的DRAM廠，愿意再將產(chǎn)能轉(zhuǎn)回標(biāo)準(zhǔn)型DRAM。在此情況下，DRAM產(chǎn)能的增加絕大多數(shù)來(lái)自于工藝技術(shù)的改進(jìn)，以及新增投片的12英寸產(chǎn)能，導(dǎo)致今年半導(dǎo)體業(yè)總投資中，DRAM業(yè)仍是主角。
從NAND Flash需求來(lái)判斷，經(jīng)過(guò)近一個(gè)季度以來(lái)的跌價(jià)，到了3月底左右，消費(fèi)者已漸因整體NAND Flash平均銷售單價(jià)大跌而開始進(jìn)一步刺激需求，NAND Flash報(bào)價(jià)已達(dá)谷底。據(jù)傳近期三星電子及海力士將上調(diào)NAND Flash售價(jià)。
Gartner預(yù)測(cè)全球移動(dòng)多媒體播放器市場(chǎng)2006年達(dá)1.87億臺(tái)，而2005年為1.34億臺(tái)，其中2005年中使用NAND型flash達(dá)80%。預(yù)計(jì)今年第四季度，蘋果公司將再次推出容量達(dá)10Gb-12Gb的高端NAND型iPod。Gartner認(rèn)為iPod MP3的市場(chǎng)對(duì)于全球NAND型Flash市場(chǎng)的影響不可低估。
NAND型flash存儲(chǔ)容量自2002起每年增長(zhǎng)2倍，2006年第一季度因季節(jié)性原因呈過(guò)量模式，而第二季度變得過(guò)緊。2006年預(yù)計(jì)總計(jì)有1%-2%的過(guò)量。2006年存儲(chǔ)器生產(chǎn)量為641031TB(1TB=1024Gb)，比2005年上升198%，而2006年的需求為636572TB，比2005年上升194%。NAND閃存市場(chǎng)中MP3占37%，USB占17%，手機(jī)占14%，其他為5%。
DRAM市場(chǎng)正經(jīng)歷每2年的周期循環(huán)。由目前情況看來(lái)，多數(shù)DRAM廠旗下的8英寸廠因無(wú)法繼續(xù)升級(jí)至下一代工藝技術(shù)，即將陸續(xù)被淘汰，業(yè)界預(yù)測(cè)從性價(jià)比角度考慮，2005年的12英寸DRAM硅片已超過(guò)8英寸。但是，由于新增12英寸廠的產(chǎn)能相對(duì)仍較小，所以當(dāng)產(chǎn)業(yè)在逐漸失去8英寸廠所生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)能的情況下，2006年即便有不少新的12英寸產(chǎn)能開出，恐怕還是無(wú)可避免地會(huì)陷入“供不應(yīng)求”狀態(tài)。所以預(yù)計(jì)全年DRAM的價(jià)格不會(huì)持續(xù)走軟。
另一個(gè)很重要因素是DRAM產(chǎn)業(yè)已確定由原本的DDR規(guī)格轉(zhuǎn)入DDRII。自2006年第一季度以來(lái)，由于市場(chǎng)上DDRII售價(jià)明顯高過(guò)DDR，每顆DDRII產(chǎn)品毛利較DDR要高出30%～40%，導(dǎo)致DRAM廠全力沖刺DDIIR產(chǎn)能，相對(duì)也造成DDR產(chǎn)出量的減少，估計(jì)全球第二季度及第一季度其DDR產(chǎn)出量減少達(dá)50%以上。
但是由于大多數(shù)新興市場(chǎng)對(duì)于PC的規(guī)格需求主要集中在便宜的低檔產(chǎn)品，所以DDR架構(gòu)PC仍是主流。在此情況下，市場(chǎng)對(duì)DDR產(chǎn)品需求實(shí)際上并未大幅下降，然而DRAM廠供給量卻已大幅削減，造成DDR在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格明顯拉高，256Mb DRAM報(bào)價(jià)達(dá)2.4美元～2.5美元，為2006年以來(lái)最高價(jià)位。
未來(lái)NAND移動(dòng)閃存卡最大的潛在市場(chǎng)在于手機(jī)應(yīng)用，最近開始將NAND用作外部存儲(chǔ)解決方案。iSuppli預(yù)測(cè)，2006年手機(jī)中應(yīng)用將超過(guò)數(shù)碼相機(jī)成為移動(dòng)閃存卡的主要市場(chǎng)。據(jù)預(yù)測(cè)，2005年手機(jī)存儲(chǔ)卡的平均容量為112M，到2010年將提高到1.6G，相當(dāng)每年容量增加70%，2005年用于手機(jī)的可移動(dòng)存儲(chǔ)卡增長(zhǎng)160%。
45納米生產(chǎn)提上日程
據(jù)英特爾公司報(bào)道，第一個(gè)采用65納米制造工藝的芯片工廠在美國(guó)俄勒岡州的波特蘭，2005年已開始了制造芯片的運(yùn)作。第二個(gè)工廠在亞利桑那州的Chandler，今年早些時(shí)候開始運(yùn)作。6月23日英特爾第三個(gè)65納米芯片工廠開始投產(chǎn)，愛爾蘭工廠的成本效益最高。
英特爾總裁奧特里尼表示，目前英特爾在三個(gè)工廠中已采用最先進(jìn)的65納米制造工藝技術(shù)生產(chǎn)大量芯片。在英特爾公司向全球計(jì)算機(jī)和服務(wù)器提供的微處理器中，65納米制造工藝生產(chǎn)的微處理器已經(jīng)超過(guò)了一半。公司還計(jì)劃在2007年底之前推出更先進(jìn)的45納米制造工藝芯片。
另外，臺(tái)積電的副總裁Jack Sun表示，公司最快將在2007年第三季度開始采用45納米的生產(chǎn)工藝進(jìn)行批量生產(chǎn)。此外市場(chǎng)消息指出，臺(tái)灣聯(lián)電目前也在致力于發(fā)展45納米的生產(chǎn)工藝。Sun指出，臺(tái)積電已經(jīng)成功研發(fā)了45納米的系統(tǒng)芯片開發(fā)平臺(tái)，并正努力讓公司成為頭三家成功地采用45納米生產(chǎn)工藝的廠商之一。而目前IBM公司是唯一一家突破這一里程碑的廠商。公司此前宣稱已經(jīng)成功地開發(fā)了29納米的生產(chǎn)工藝。
臺(tái)積電近來(lái)在發(fā)展自己的先進(jìn)生產(chǎn)工藝上表現(xiàn)得十分努力，公司和ASML公司合作開發(fā)的浸入式光刻技術(shù)在今后也許將成為主流技術(shù)。臺(tái)積電預(yù)期在2009年時(shí)可能會(huì)采用32納米的生產(chǎn)工藝進(jìn)行批量生產(chǎn)。
■美國(guó)應(yīng)用材料公司顧問(wèn) 莫大康
CSIA與WSC簽署合作備忘錄
正值世界杯期間，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(CSIA)也“踢出”關(guān)鍵性的一腳。6月15日是一個(gè)重要的日子，CSIA理事長(zhǎng)俞忠鈺與世界半導(dǎo)體理事會(huì)(WSC)2006年輪值主席、美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)主席Brian Halla簽署合作備忘錄。備忘錄的簽署，標(biāo)志中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)與世界主要半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)家與地區(qū)的合作交往翻開了新的一頁(yè)。
申請(qǐng)加入WSC，一方面將有利于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)與全球半導(dǎo)體業(yè)真正融為一體，包括數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)、IP保護(hù)及國(guó)際間合作等。另一方面，開始在國(guó)際統(tǒng)一口徑下辦事，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要求更為嚴(yán)格及迫切。所以，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須以此為契機(jī)，努力跟蹤，尋找合適時(shí)機(jī)，爭(zhēng)取在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。
轉(zhuǎn)移加快兼并加劇
盡管業(yè)界一致認(rèn)為，全球半導(dǎo)體業(yè)將不會(huì)再有如2000年及2004年那樣大起大落的增長(zhǎng)，代之較為溫和的小幅增長(zhǎng)。但是半導(dǎo)體業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)性使“大者恒大”法則幾乎不會(huì)改變。
產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移向附加值更高端發(fā)展是趨勢(shì)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也必須遵循此法則。目前來(lái)看，后道封裝測(cè)試業(yè)已無(wú)疑義地向中國(guó)轉(zhuǎn)移。而對(duì)于芯片制造業(yè)，先進(jìn)國(guó)家有苗頭開始執(zhí)行“輕晶圓廠Fab-lite”策略。比較成功的是摩托羅拉的28個(gè)半導(dǎo)體廠，最終通過(guò)兼并、出售，只剩下9個(gè)。連2000年在中國(guó)天津耗資19億美元建成的新8英寸生產(chǎn)線，最終以2.6億美元的股權(quán)讓給中芯國(guó)際。但這9個(gè)廠都是佼佼者。
2005年成功轉(zhuǎn)移的還有LSIlogic，出售芯片制造廠變成fabless公司；Agilent出售芯片線成為測(cè)試儀供應(yīng)商。近期，其余的若干小廠間兼并也不乏見，如德國(guó)Xfab兼并馬來(lái)西亞的first silicon；日本Epson花費(fèi)8142萬(wàn)美元從IBM手中買回在日本合資廠的股份等。
還有如今正引起全球關(guān)注的是英飛凌的內(nèi)存部門搖身一變，新公司“Qimonda”繼續(xù)闖蕩內(nèi)存市場(chǎng)；以及飛利浦決定分拆其半導(dǎo)體部于今年底上市等。
無(wú)論英飛凌或是飛利浦，一個(gè)共同點(diǎn)都在執(zhí)行“輕晶圓廠”策略，也即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在提升，連晶圓廠制造也逐漸退出代之以向芯片設(shè)計(jì)、IP貿(mào)易及第三方設(shè)計(jì)公司等轉(zhuǎn)移。
市場(chǎng)態(tài)勢(shì)仍不明朗
美國(guó)著名機(jī)構(gòu)WSTS(全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì))的春季預(yù)測(cè)表示，2006年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)為10.1%，達(dá)2500億美元，2007年和2008年將分別再增長(zhǎng)11%及12.8%。
這個(gè)數(shù)據(jù)高于原先WSTS于2005年的秋季預(yù)測(cè)，那時(shí)預(yù)測(cè)2006年增長(zhǎng)為8%。從整體上，半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)看不到周期起伏，僅局部區(qū)域及產(chǎn)品組仍有周期性的形態(tài)。其中亞太地區(qū)增長(zhǎng)最快，原因不僅是需求增長(zhǎng)，而是依靠產(chǎn)能的轉(zhuǎn)移。近期另一家機(jī)構(gòu)Gartner表示因全球PC市場(chǎng)的上升而提升2006年半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)測(cè)，從原先的9.5%調(diào)高至10.6%。
iSuppli在6月28日對(duì)2006年全球半導(dǎo)體業(yè)又做了新的預(yù)測(cè)，從原先的7.4%提高到7.9%。
但是業(yè)界的聲音是不同的，另一家著名機(jī)構(gòu)SIA(半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì))已經(jīng)調(diào)整2006年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)從11%下降至9%，并認(rèn)為2006年半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)可能僅有4%，明確表示全球半導(dǎo)體業(yè)將趨緩。
另一家銀行投資分析機(jī)構(gòu)Handlebanken的分析師在解讀4月的WSTS報(bào)告后認(rèn)為，Intel處理器芯片從數(shù)量上下降21%及價(jià)格下降40%，預(yù)期Intel第二季度的業(yè)績(jī)肯定下降，銷售額將從2005年的340億美元調(diào)整至2006年的330億美元。而其老對(duì)手AMD也在所難免，相應(yīng)銷售額為2005年的34億美元及2006年的33億美元。所以于6月27日對(duì)全球半導(dǎo)體業(yè)又重新做修正，由原來(lái)的6%降低為5%。
全球量大面廣的芯片產(chǎn)品，主要有三類：CPU、存儲(chǔ)器包括閃存及FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)。目前來(lái)看，因Intel與AMD兩家打得不可開交，CPU市場(chǎng)有下降的趨勢(shì)。
全球存儲(chǔ)器業(yè)因MP3、手機(jī)及計(jì)算機(jī)中對(duì)存儲(chǔ)容量的需求上升，從數(shù)量上需求增加不少，但是降價(jià)的壓力也大，光第一季度NAND閃存的價(jià)格下降達(dá)30%。所以總體上全球存儲(chǔ)器業(yè)2005年總計(jì)為471.9億美元，而2006年可為492.5億美元，銷售額凈增長(zhǎng)為4.4%。
無(wú)論如何，全球半導(dǎo)體業(yè)與2005年初因庫(kù)存增大而一片下降的態(tài)勢(shì)相比，2006年上半年的態(tài)勢(shì)是不錯(cuò)的，最根本的原因在于兩大終端產(chǎn)品計(jì)算機(jī)及手機(jī)的需求增長(zhǎng)。據(jù)IDC最新資料，2006年P(guān)C的增長(zhǎng)已由3月時(shí)的預(yù)測(cè)10.5%調(diào)高至10.8%，而手機(jī)的需求增長(zhǎng)可達(dá)18%。另外，一個(gè)很顯見的因素是2006年全球半導(dǎo)體固定資產(chǎn)的投入達(dá)513億美元，相比2005年增加12%，其主要增加因素來(lái)自日本的芯片制造商及DRAM業(yè)。
然而，也有負(fù)面的觀點(diǎn)，如摩根大通首席半導(dǎo)體分析師夏鮑文擔(dān)心IC庫(kù)存問(wèn)題會(huì)在下半年爆發(fā)，并對(duì)PC的庫(kù)存甚為擔(dān)憂。再如全球在第二季度時(shí)，全球fabless廠的庫(kù)存已達(dá)5年來(lái)的新高，預(yù)測(cè)下半年全球半導(dǎo)體的需求將不如從前，可能面臨向下調(diào)的壓力。
對(duì)于全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)有不同的看法是正常的。不過(guò)如今半導(dǎo)體業(yè)已今非昔比，那種強(qiáng)勁增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)已不再重現(xiàn)。半導(dǎo)體業(yè)趨向更加成熟，相對(duì)會(huì)受各種外界干擾的因素變化機(jī)會(huì)增大。另外，最近全球芯片業(yè)的老大Intel與AMD打得不可開交，似乎未見勝績(jī)。相反，傳言中擬出售通訊芯片部門及裁員等已得到證實(shí)，會(huì)給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來(lái)巨大的不利影響，尤其是半導(dǎo)體指數(shù)。
存儲(chǔ)器還是亮點(diǎn)
iSuppli的著名分析師Nam Hyung Kim于最近指出，全球NAND市場(chǎng)已結(jié)束下降趨勢(shì)。
自進(jìn)入2006年以來(lái)，DRAM市場(chǎng)之所以能夠穩(wěn)健發(fā)展，不再像過(guò)去那樣出現(xiàn)大起大落，NAND Flash可謂功不可沒(méi)。今年第一季度以來(lái)，盡管全球NAND Flash售價(jià)出現(xiàn)大幅下滑，達(dá)30%，足以與2005年一整年的跌幅相抗衡。但是即便如此，對(duì)于眾多DRAM廠而言還是不畏艱難，持續(xù)將DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)入NAND Flash。
DRAM廠之所以如此義無(wú)反顧，在于NAND Flash的利潤(rùn)豐厚，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM。因此到目前為止，還未見有轉(zhuǎn)入NAND Flash產(chǎn)能的DRAM廠，愿意再將產(chǎn)能轉(zhuǎn)回標(biāo)準(zhǔn)型DRAM。在此情況下，DRAM產(chǎn)能的增加絕大多數(shù)來(lái)自于工藝技術(shù)的改進(jìn)，以及新增投片的12英寸產(chǎn)能，導(dǎo)致今年半導(dǎo)體業(yè)總投資中，DRAM業(yè)仍是主角。
從NAND Flash需求來(lái)判斷，經(jīng)過(guò)近一個(gè)季度以來(lái)的跌價(jià)，到了3月底左右，消費(fèi)者已漸因整體NAND Flash平均銷售單價(jià)大跌而開始進(jìn)一步刺激需求，NAND Flash報(bào)價(jià)已達(dá)谷底。據(jù)傳近期三星電子及海力士將上調(diào)NAND Flash售價(jià)。
Gartner預(yù)測(cè)全球移動(dòng)多媒體播放器市場(chǎng)2006年達(dá)1.87億臺(tái)，而2005年為1.34億臺(tái)，其中2005年中使用NAND型flash達(dá)80%。預(yù)計(jì)今年第四季度，蘋果公司將再次推出容量達(dá)10Gb-12Gb的高端NAND型iPod。Gartner認(rèn)為iPod MP3的市場(chǎng)對(duì)于全球NAND型Flash市場(chǎng)的影響不可低估。
NAND型flash存儲(chǔ)容量自2002起每年增長(zhǎng)2倍，2006年第一季度因季節(jié)性原因呈過(guò)量模式，而第二季度變得過(guò)緊。2006年預(yù)計(jì)總計(jì)有1%-2%的過(guò)量。2006年存儲(chǔ)器生產(chǎn)量為641031TB(1TB=1024Gb)，比2005年上升198%，而2006年的需求為636572TB，比2005年上升194%。NAND閃存市場(chǎng)中MP3占37%，USB占17%，手機(jī)占14%，其他為5%。
DRAM市場(chǎng)正經(jīng)歷每2年的周期循環(huán)。由目前情況看來(lái)，多數(shù)DRAM廠旗下的8英寸廠因無(wú)法繼續(xù)升級(jí)至下一代工藝技術(shù)，即將陸續(xù)被淘汰，業(yè)界預(yù)測(cè)從性價(jià)比角度考慮，2005年的12英寸DRAM硅片已超過(guò)8英寸。但是，由于新增12英寸廠的產(chǎn)能相對(duì)仍較小，所以當(dāng)產(chǎn)業(yè)在逐漸失去8英寸廠所生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)能的情況下，2006年即便有不少新的12英寸產(chǎn)能開出，恐怕還是無(wú)可避免地會(huì)陷入“供不應(yīng)求”狀態(tài)。所以預(yù)計(jì)全年DRAM的價(jià)格不會(huì)持續(xù)走軟。
另一個(gè)很重要因素是DRAM產(chǎn)業(yè)已確定由原本的DDR規(guī)格轉(zhuǎn)入DDRII。自2006年第一季度以來(lái)，由于市場(chǎng)上DDRII售價(jià)明顯高過(guò)DDR，每顆DDRII產(chǎn)品毛利較DDR要高出30%～40%，導(dǎo)致DRAM廠全力沖刺DDIIR產(chǎn)能，相對(duì)也造成DDR產(chǎn)出量的減少，估計(jì)全球第二季度及第一季度其DDR產(chǎn)出量減少達(dá)50%以上。
但是由于大多數(shù)新興市場(chǎng)對(duì)于PC的規(guī)格需求主要集中在便宜的低檔產(chǎn)品，所以DDR架構(gòu)PC仍是主流。在此情況下，市場(chǎng)對(duì)DDR產(chǎn)品需求實(shí)際上并未大幅下降，然而DRAM廠供給量卻已大幅削減，造成DDR在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格明顯拉高，256Mb DRAM報(bào)價(jià)達(dá)2.4美元～2.5美元，為2006年以來(lái)最高價(jià)位。
未來(lái)NAND移動(dòng)閃存卡最大的潛在市場(chǎng)在于手機(jī)應(yīng)用，最近開始將NAND用作外部存儲(chǔ)解決方案。iSuppli預(yù)測(cè)，2006年手機(jī)中應(yīng)用將超過(guò)數(shù)碼相機(jī)成為移動(dòng)閃存卡的主要市場(chǎng)。據(jù)預(yù)測(cè)，2005年手機(jī)存儲(chǔ)卡的平均容量為112M，到2010年將提高到1.6G，相當(dāng)每年容量增加70%，2005年用于手機(jī)的可移動(dòng)存儲(chǔ)卡增長(zhǎng)160%。
45納米生產(chǎn)提上日程
據(jù)英特爾公司報(bào)道，第一個(gè)采用65納米制造工藝的芯片工廠在美國(guó)俄勒岡州的波特蘭，2005年已開始了制造芯片的運(yùn)作。第二個(gè)工廠在亞利桑那州的Chandler，今年早些時(shí)候開始運(yùn)作。6月23日英特爾第三個(gè)65納米芯片工廠開始投產(chǎn)，愛爾蘭工廠的成本效益最高。
英特爾總裁奧特里尼表示，目前英特爾在三個(gè)工廠中已采用最先進(jìn)的65納米制造工藝技術(shù)生產(chǎn)大量芯片。在英特爾公司向全球計(jì)算機(jī)和服務(wù)器提供的微處理器中，65納米制造工藝生產(chǎn)的微處理器已經(jīng)超過(guò)了一半。公司還計(jì)劃在2007年底之前推出更先進(jìn)的45納米制造工藝芯片。
另外，臺(tái)積電的副總裁Jack Sun表示，公司最快將在2007年第三季度開始采用45納米的生產(chǎn)工藝進(jìn)行批量生產(chǎn)。此外市場(chǎng)消息指出，臺(tái)灣聯(lián)電目前也在致力于發(fā)展45納米的生產(chǎn)工藝。Sun指出，臺(tái)積電已經(jīng)成功研發(fā)了45納米的系統(tǒng)芯片開發(fā)平臺(tái)，并正努力讓公司成為頭三家成功地采用45納米生產(chǎn)工藝的廠商之一。而目前IBM公司是唯一一家突破這一里程碑的廠商。公司此前宣稱已經(jīng)成功地開發(fā)了29納米的生產(chǎn)工藝。
臺(tái)積電近來(lái)在發(fā)展自己的先進(jìn)生產(chǎn)工藝上表現(xiàn)得十分努力，公司和ASML公司合作開發(fā)的浸入式光刻技術(shù)在今后也許將成為主流技術(shù)。臺(tái)積電預(yù)期在2009年時(shí)可能會(huì)采用32納米的生產(chǎn)工藝進(jìn)行批量生產(chǎn)。
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來(lái)源：中國(guó)電子報(bào)
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http:leisuda.cn/news/2006-7/200671994424.html
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