意法半導體數(shù)字隔離器采用新型厚氧化物電流隔離技術，可提高性能和可靠性

　　中國，2021年4月22日——意法半導體開始量產(chǎn)STISO621雙通道數(shù)字隔離器，該新系列高性能隔離器適合工業(yè)控制應用，可以替代普通的光耦器件。
　　
　　STISO621的兩個隔離區(qū)域之間數(shù)據(jù)傳輸速率達到100Mbit/s，脈沖失真低于3ns，采用意法半導體的6kV厚氧化層電流隔離技術。該器件有兩路獨立的單向通道，可以適用于處理雙向數(shù)據(jù)的UART收發(fā)器接口。每路通道都有施密特觸發(fā)器輸入，確保隔離器有較高的抗噪能力。
　　
　　在相互電流隔離的STISO621兩端，電源電壓彼此獨立。每個電源可以在3.3V和5.5V的寬電壓范圍之間轉換電平。65kV/µs的典型共模瞬變抗擾度(CMTI)可保護低壓側，在惡劣環(huán)境中免受高開關瞬變影響。

　　STISO621適用于電源、電機驅動器、儀表、逆變器、電池監(jiān)測器、電器、現(xiàn)場總線隔離器、對尺寸要求嚴格的多通道隔離適配器，以及整個工業(yè)自動化系統(tǒng)中的常規(guī)隔離等各種工業(yè)和消費類應用。產(chǎn)品設計符合高壓隔離設備測試規(guī)范VDE0884-10和UL 1577。
　　
　　評估板EVALSTISO62XV1有助于加快多種應用場景的設計速度。意法半導體還提供了EVALSTPM-3PHISO，一個專門為三相隔離電表系統(tǒng)用例制作的參考設計。這個設計集成了用于分離高電壓域的STISO621與意法半導體的高精度STPMS2計量前端IC，還提供在STM32微控制器運行的用于計算測量三相數(shù)據(jù)和電能質(zhì)量數(shù)據(jù)的專用固件。
　　
　　具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM)，STISO621電流隔離功能不隨時間變化，在任何系統(tǒng)故障期間，保持電流隔離功能的完整性。有兩款封裝可選，STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝，VIOTM 電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝，VIOTM為6000V。在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。
　　
　　STISO621和STISO621W均已投產(chǎn)。 EVALSTISO62XV1可以從意法半導體和代理商處購買。