CMOS影像感測(cè)器市場(chǎng)前景看好，DRAM大廠頻藉DRAM大量生產(chǎn)技術(shù)卡位，根據(jù)三星等業(yè)者技術(shù)藍(lán)圖，目前二百萬畫素CMOS影像感測(cè)器制程，已于第四季開始微縮至○．一三微米，預(yù)計(jì)明年第四季再微縮至九○奈米。雖然市場(chǎng)認(rèn)為CMOS影像感測(cè)器微縮至奈米制程世代難度太高不易成功，但光是以○．一三微米卡位市場(chǎng)，供過于求壓力就會(huì)讓明年價(jià)格處于跌勢(shì)，并迫使后段封測(cè)廠調(diào)降代工價(jià)。
CMOS影像感測(cè)器以低成本優(yōu)勢(shì)成功打入手機(jī)市場(chǎng)，擠下CCD（電荷耦合）影像感測(cè)器成為照相手機(jī)主要應(yīng)用產(chǎn)品后，今年CMOS影像感測(cè)器市場(chǎng)開始有了較明顯的成長(zhǎng)，市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli認(rèn)為，手機(jī)內(nèi)建數(shù)位相機(jī)的應(yīng)用，將推動(dòng)CMOS影像感測(cè)器于二○○六年成為市場(chǎng)主流，當(dāng)然成功以DRAM低漏電制程生產(chǎn)制程的DRAM大廠如三星、美光、及由Hynix切割出來的非記憶體半導(dǎo)體廠MagnaChip，也開始全力投產(chǎn)卡位，并在今年第四季開始進(jìn)行制程微縮工程。
今年美光主要是以○．一五微米生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器，三星、MagnaChip主要制程仍以○．一八微米為主，第四季后業(yè)者開始進(jìn)行制程微縮，以三星、MagnaChip的技術(shù)藍(lán)圖來看，目前已經(jīng)開始以○．一三微米開始投片生產(chǎn)二百萬畫素CMOS影像感測(cè)器，而較令市場(chǎng)感到驚訝部份，則是二家業(yè)者將于明年第四季將CMOS影像感測(cè)器制程再微縮至九○奈米。
雖然業(yè)界認(rèn)為CMOS影像感測(cè)器制程微縮至奈米級(jí)后不易成功，但對(duì)于擅于利用大量生產(chǎn)經(jīng)競(jìng)規(guī)模優(yōu)勢(shì)降低單位成本的DRAM廠，以○．一三微米以下制程積極投入感到憂心。業(yè)者認(rèn)為，對(duì)DRAM廠來說，只要市場(chǎng)價(jià)格高于生產(chǎn)成本，因?yàn)槌鲐洈?shù)量大，都會(huì)有不錯(cuò)的獲利，但供過于求壓力卻會(huì)因此升高，造成價(jià)格快速下跌，如同今年NAND快閃記憶體市況一般，對(duì)在晶圓代工廠投片的感測(cè)器供應(yīng)商來說，很容易被DRAM廠壓迫而退出市場(chǎng)。
而DRAM廠不斷壓低CMOS影像感測(cè)器價(jià)格，也開始影響到后段封測(cè)廠代工價(jià)。據(jù)了解，CMOS影像感測(cè)器封測(cè)產(chǎn)能今年擴(kuò)充量能其實(shí)不太大，但因提高產(chǎn)能的DRAM廠商，大部份封測(cè)業(yè)務(wù)仍在自有廠內(nèi)處理，僅小部份釋出委外，所以主要委外代工的IC設(shè)計(jì)業(yè)者，面對(duì)價(jià)格不斷下跌壓力，已開始要求后段封測(cè)廠降價(jià)，第四季測(cè)試合約價(jià)已跌一成，預(yù)估明年仍會(huì)繼續(xù)降價(jià)。
CMOS影像感測(cè)器以低成本優(yōu)勢(shì)成功打入手機(jī)市場(chǎng)，擠下CCD（電荷耦合）影像感測(cè)器成為照相手機(jī)主要應(yīng)用產(chǎn)品后，今年CMOS影像感測(cè)器市場(chǎng)開始有了較明顯的成長(zhǎng)，市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli認(rèn)為，手機(jī)內(nèi)建數(shù)位相機(jī)的應(yīng)用，將推動(dòng)CMOS影像感測(cè)器于二○○六年成為市場(chǎng)主流，當(dāng)然成功以DRAM低漏電制程生產(chǎn)制程的DRAM大廠如三星、美光、及由Hynix切割出來的非記憶體半導(dǎo)體廠MagnaChip，也開始全力投產(chǎn)卡位，并在今年第四季開始進(jìn)行制程微縮工程。
今年美光主要是以○．一五微米生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器，三星、MagnaChip主要制程仍以○．一八微米為主，第四季后業(yè)者開始進(jìn)行制程微縮，以三星、MagnaChip的技術(shù)藍(lán)圖來看，目前已經(jīng)開始以○．一三微米開始投片生產(chǎn)二百萬畫素CMOS影像感測(cè)器，而較令市場(chǎng)感到驚訝部份，則是二家業(yè)者將于明年第四季將CMOS影像感測(cè)器制程再微縮至九○奈米。
雖然業(yè)界認(rèn)為CMOS影像感測(cè)器制程微縮至奈米級(jí)后不易成功，但對(duì)于擅于利用大量生產(chǎn)經(jīng)競(jìng)規(guī)模優(yōu)勢(shì)降低單位成本的DRAM廠，以○．一三微米以下制程積極投入感到憂心。業(yè)者認(rèn)為，對(duì)DRAM廠來說，只要市場(chǎng)價(jià)格高于生產(chǎn)成本，因?yàn)槌鲐洈?shù)量大，都會(huì)有不錯(cuò)的獲利，但供過于求壓力卻會(huì)因此升高，造成價(jià)格快速下跌，如同今年NAND快閃記憶體市況一般，對(duì)在晶圓代工廠投片的感測(cè)器供應(yīng)商來說，很容易被DRAM廠壓迫而退出市場(chǎng)。
而DRAM廠不斷壓低CMOS影像感測(cè)器價(jià)格，也開始影響到后段封測(cè)廠代工價(jià)。據(jù)了解，CMOS影像感測(cè)器封測(cè)產(chǎn)能今年擴(kuò)充量能其實(shí)不太大，但因提高產(chǎn)能的DRAM廠商，大部份封測(cè)業(yè)務(wù)仍在自有廠內(nèi)處理，僅小部份釋出委外，所以主要委外代工的IC設(shè)計(jì)業(yè)者，面對(duì)價(jià)格不斷下跌壓力，已開始要求后段封測(cè)廠降價(jià)，第四季測(cè)試合約價(jià)已跌一成，預(yù)估明年仍會(huì)繼續(xù)降價(jià)。
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http:leisuda.cn/news/2004-12/2004123110913.html
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