“第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在京召開

    近日，2016年國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專項(xiàng)——“第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在北京中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所召開。項(xiàng)目牽頭單位中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、課題負(fù)責(zé)人及參與單位代表、項(xiàng)目咨詢專家、科技部高技術(shù)中心相關(guān)人員等出席了會(huì)議。

    “第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目旨在面向水凈化、空氣凈化及生物等應(yīng)用，以提升第三代半導(dǎo)體紫外光源材料質(zhì)量和量子效率為目標(biāo)，突破深紫外LED、紫外LD材料和器件關(guān)鍵技術(shù)，最終實(shí)現(xiàn)高量子效率深紫外LED光源，開發(fā)出3-5種市場(chǎng)化深紫外光源應(yīng)用產(chǎn)品，解決深紫外器件測(cè)試和產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)缺失的現(xiàn)狀；研制出高質(zhì)量紫外激光器，實(shí)現(xiàn)UVB激光器電注入激射。<