氮化鎵是一種極具應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體，是改善晶體管的優(yōu)良材料。目前氮化鎵（GaN）已展現(xiàn)出顯著的成果，且它還有以比硅成本更低來生產(chǎn)的能力。由于氮化鎵晶體管可以比之前任何晶體管都來得快的能力來切換更高的電壓和更大的電流，因此帶動(dòng)了一些新的應(yīng)用。
據(jù)報(bào)道，日本共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭(zhēng)將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。
據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎(jiǎng)的藍(lán)色發(fā)光二級(jí)管(LED)的材料。該研究室力爭(zhēng)把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機(jī)構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合，加快研發(fā)進(jìn)程。
天野是小出在名古屋大學(xué)念書時(shí)低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng))門下一同進(jìn)行過研究。<
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http:leisuda.cn/news/2016-11/2016112513310.html
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文章標(biāo)簽： 氮化鎵/控制電流/半導(dǎo)體功率器件
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