氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)�；纳a(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上，這個主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經(jīng)理蔡振宇（Eric）的“氮化鎵產(chǎn)品主要的應(yīng)用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產(chǎn)品線Transphorm公司獨特GaN技術(shù)和產(chǎn)品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創(chuàng)新的Cascode結(jié)構(gòu)的HEMT高壓產(chǎn)品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術(shù)領(lǐng)域劍走偏鋒，成為該陣營的領(lǐng)頭羊。
富士通電子元器件高級市場經(jīng)理蔡振宇（Eric）主題演講中
高壓GaN技術(shù)的領(lǐng)頭羊是如何煉成的？
最近一年多以來，一個中國工程師和媒體社群極少聽到的品牌——美國Transphorm公司——以一種“穩(wěn)秘模式”異軍突起，已成為電子能源轉(zhuǎn)換行業(yè)開發(fā)與供應(yīng)GaN解決方案業(yè)務(wù)的國際公認領(lǐng)導(dǎo)廠商。據(jù)Eric介紹，基于知名投資公司的資金支持(其中包括富士通、谷歌風投、索羅斯基金管理公司以及量子戰(zhàn)略合作伙伴資助等)，Transphorm成為了一家快速成長的公司，尤其是在高壓GaN解決方案方面是國際公認的領(lǐng)導(dǎo)者，Transphorm致力實現(xiàn)高效且緊湊的電源轉(zhuǎn)換。
“事實上，Transphorm已經(jīng)是GaN技術(shù)的行業(yè)‘老兵’�！盓ric指出，“Transphorm創(chuàng)始人與核心工程團隊在電源和GaN半導(dǎo)體方面，有超過20年的直接經(jīng)驗和領(lǐng)先地位�！睋�(jù)悉，自1994年以來，Transphorm的團隊已經(jīng)率先推出了最早的GaN晶體管的開發(fā)，幾經(jīng)合并后的團隊帶來了卓越的垂直整合經(jīng)驗，其中包括GaN材料和器件、制造與測試、可靠性和應(yīng)用工程，以及制造和電力行業(yè)知識�！斑@種垂直專業(yè)技術(shù)保證了能夠以最快的速度響應(yīng)客戶的需求，并且確保了重要的知識產(chǎn)權(quán)地位，同時還提供符合客戶的要求專用電源解決方案�！盓ric表示。
Transphorm公司的GaN專業(yè)知識和垂直整合使其能夠快速開發(fā)出高性能、可靠并且強勁的產(chǎn)品。Transphorm是重要戰(zhàn)略性知識產(chǎn)權(quán)的初創(chuàng)者，擁有超過400項國際專利，包括收購富士通的功率GaN設(shè)計、開發(fā)和知識產(chǎn)權(quán)資產(chǎn)。Transphorm的專利實現(xiàn)了成功將GaN商業(yè)化的方方面面，包括材料生長、器件結(jié)構(gòu)、器件制造方法、電路的應(yīng)用、架構(gòu)和封裝等。
結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，HEMT改善的不僅僅是效率
據(jù)Eric介紹，Transphorm HEMT 氮化鎵產(chǎn)品的獨特性源于其獨特的產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)。從半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)來看，HEMT 氮化鎵產(chǎn)品跟普通MOSFET不一樣，電流是橫向流，它是在硅的襯底上面長出氮化鎵，它是S極垂直往上的，上面是S極流到D極，與傳統(tǒng)的MOS管流動不一樣。
HEMT器件獨特的Cascode結(jié)構(gòu)剖析
目前所有的產(chǎn)品在技術(shù)和研發(fā)上有兩個方向，一個是上電的管子是關(guān)著的，還有一種是上電以后管子是打開的�；旧锨懊娴漠a(chǎn)品是沒有辦法用的，因為一上電管子就關(guān)了。“有友商在第一個管子上面人為地做成Normally off（常關(guān)）。但隨著時間的推移，原來5伏可以打開，慢慢時間久了可能6伏才能打開�！盓ric指出，“對這個問題，Transphorm給出了解決辦法——通過增加一個低壓MOS管，這個結(jié)構(gòu)就是前面提到的Cascode結(jié)構(gòu)，用常開的產(chǎn)品實現(xiàn)常閉產(chǎn)品一樣的性能�！�
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