Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝 有效節(jié)省占位面積

    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 (5mm x 4.5mm)。這種配置可減少元件數(shù)量以及節(jié)省電路板空間，另外對要求配備多種器件的應(yīng)用尤為重要，包括一系列工業(yè)檢測系統(tǒng)或海事聲吶設(shè)備內(nèi)的超聲波換能器。其它常見的應(yīng)用有48V電信設(shè)備散熱風(fēng)扇的直流驅(qū)動電機，以及無線充電板線圈等電感負(fù)載。

    DMHC10H170SFJ具有100V漏源極擊穿電壓 (BVDSS)，提供充足的凈空以支持48V電信軌和工業(yè)應(yīng)用。它還配備5V的柵極電壓，以簡化微控制器的直接邏輯電平接口之設(shè)計。該器件的峰值脈沖電流額定值為11A，使之能夠在驅(qū)動線圈通電時處理沖擊電流，這一般比直流電機的典型工作電流大五倍。

    新產(chǎn)品可替代四個SOT23或兩個SO-8封裝器件，使多個超聲波換能器能以緊湊的陳列部署。以1,024個換能器一組為例，每個都必須由H橋單獨驅(qū)動，從而為相控陣系統(tǒng)提供可控的聚焦光束。這種系統(tǒng)用來檢測材料生產(chǎn)流程，并且適用于海事回聲定位系統(tǒng)。

    DMHC10H170SFJ采用了V-DFN5045-12封裝，提供市場上獨有的超小尺寸解決方案。新產(chǎn)品以三千個單元為出貨批量。<