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Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

2015/2/27 9:19:55   電源在線網
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    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品通過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板占位面積,簡化電機驅動和電感無線充電電路。40V額定值H橋DMHC4035LSD旨在滿足車用電機驅動應用的要求;30V額定值H橋DMHC3025LSD則適合12V單相風扇應用。

Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

    DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把雙N通道和雙P通道MOSFET集成到占位面積僅為5mm x 6mm 的單一SO-8封裝,成為完整的H橋。替代尺寸相當于四個SOT23封裝或兩個SO-8封裝的器件,適用于多種受空間限制的汽車和工業(yè)應用,包括低功率直流無刷電機驅動器和風扇控制,并且滿足驅動電感負載的類似要求。

    兩款H橋節(jié)省空間的優(yōu)勢與MOSFET的低導通電阻性能相輔相成,40V N通道器件在10V VGS的電壓下一般只有45mΩ的電阻;40V P通道器件的電阻在 -10V VGS 的電壓下則為65mΩ。器件的低導通電阻可把傳導損耗降到最低,從而能夠在電機堵轉的情況下承受較高的連續(xù)電流。這些30V及40V額定值的H橋在+70ºC的高溫工作環(huán)境下,可分別提供3A和2A的連續(xù)電流,以適應最壞情況下的電機堵轉電流。<

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