安森美半導(dǎo)體推出帶集成肖特基二極管的30 V N溝道功率MOSFET

    應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。

    NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達(dá)致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及12.2 nC，確保開關(guān)損耗也保持最低。 

    安森美半導(dǎo)體這些新的功率MOSFET典型應(yīng)用包括用于服務(wù)器、電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)施、個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、筆記本電腦及游戲機(jī)的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換及低端開關(guān)操作。 

    安森美半導(dǎo)體功率MOSFET業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“集成肖特基二極管借助于集成在與初級(jí)FET結(jié)構(gòu)相同的裸片中，減小死區(qū)時(shí)間導(dǎo)電損耗，因而提升能效及改善波形。這些新的器件為客戶提供更寬陣容的產(chǎn)品及方案，解決他們獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)�！�

    封裝及價(jià)格

    NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低熱阻抗的緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝。這些器件每10,000片批量的價(jià)格為0.45美元至0.90美元。■