中國，2021年8月27日——為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達(dá)45W和150W的功率變換應(yīng)用。
連同面向65W至400W應(yīng)用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，這兩款新產(chǎn)品為設(shè)計(jì)開關(guān)式電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正(PFC)和DC/DC變換器的工程師選擇合適的氮化鎵(GaN)器件和驅(qū)動(dòng)解決方案提供了更多的靈活性。
意法半導(dǎo)體的MasterGaN概念簡化了GaN寬禁帶功率技術(shù)替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進(jìn)程。新產(chǎn)品集成兩個(gè)650V功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和相關(guān)的安全保護(hù)電路，消除了柵極驅(qū)動(dòng)器和電路布局設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。因?yàn)镚aN晶體管可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設(shè)計(jì)縮小80%，并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。
MasterGaN3的兩個(gè)GaN功率晶體管的導(dǎo)通電阻值(Rds(on))不相等，分別為225mΩ和450mΩ，使其適用于軟開關(guān)和有源整流變換器。在MasterGaN5中，兩個(gè)晶體管的導(dǎo)通電阻值(Rds(on))都是450mΩ，適用于LLC諧振和有源鉗位反激變換器等拓?fù)洹?/P>
與MasterGaN產(chǎn)品家族的其他成員一樣，這兩款器件都有兼容3.3V至15V邏輯信號(hào)的輸入，從而簡化了產(chǎn)品本身與DSP處理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設(shè)備的連接。新產(chǎn)品還集成了安全保護(hù)功能，包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、過熱保護(hù)和關(guān)斷引腳。
每款MasterGaN產(chǎn)品都有一個(gè)配套的專用原型開發(fā)板，幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)新的電源項(xiàng)目。EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5開發(fā)板都包含一個(gè)單端或互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)生器電路。板載一個(gè)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間發(fā)生器，以及相關(guān)的設(shè)備接口，方便用戶采用不同的輸入信號(hào)或PWM信號(hào)，連接一個(gè)外部自舉二極管來改進(jìn)容性負(fù)載，為峰流式拓?fù)洳迦胍粋�(gè)低邊檢流電阻。
MasterGaN3和MasterGaN5現(xiàn)已量產(chǎn)，采用針對(duì)高壓應(yīng)用優(yōu)化的9mm x 9mm GQFN封裝，高低壓焊盤間爬電距離為2mm。
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