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東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

2021/12/3 11:36:48   電源在線網(wǎng)
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  東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

  中國(guó)上海,2021年11月30日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。這兩款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。

  

  TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備,現(xiàn)在可直接通過(guò)該光耦驅(qū)動(dòng)其IGBT/MOSFET而無(wú)需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)小型化。

  TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤(pán)[1],便于替代東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠?yàn)殡娐钒褰M件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,或用于器件高度受限的新型電路設(shè)計(jì)。

  這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達(dá)到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設(shè)計(jì)和保持溫度裕度。

  此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項(xiàng)。

  應(yīng)用:

  工業(yè)設(shè)備

  -工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動(dòng)器、光伏逆變器、UPS等。

  特性:

  -高峰值輸出電流額定值( Ta=-40℃至125℃)

  IOP=±2.5A(TLP5702H)

  IOP=±5.0A(TLP5705H)

  -薄型SO6L封裝

  -高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃

  主要規(guī)格:

  注:

  [1]封裝高度:4.25毫米(最大值)

  [2]現(xiàn)有產(chǎn)品:采用SDIP6封裝的TLP700H

  

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