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Vishay推出的新款60V MOSFET是業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅動電路的器件

2019/8/15 11:16:58   電源在線網(wǎng)
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  賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅動電路的器件,10 V條件下最大導通電阻降至4 mW,采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK®1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度,柵極電荷僅為22.5 nC,同時具有低輸出電荷(QOSS)。

  與邏輯電平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平臺電壓,適用于柵極驅動電壓高于6 V的電路,器件最佳動態(tài)特性縮短死區(qū)時間,防止同步整流應用發(fā)生擊穿。SiSS22DN業(yè)內(nèi)低導通電阻比排名第二的產(chǎn)品低4.8%—與領先的邏輯電平器件不相上下—QOSS為34.2 nC,QOSS與導通電阻乘積,即零電壓開關(ZVS)或開關柜拓撲結構功率轉換設計中,MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)達到最佳水平。為實現(xiàn)更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封裝類似解決方案節(jié)省65%的PCB空間。

  SiSS22DN改進了技術規(guī)格,經(jīng)過調(diào)校最大限度降低導通和開關損耗,多電源管理系統(tǒng)構件可實現(xiàn)更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級,以及通信和服務器電源OR-ing功能、電動工具和工業(yè)設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。

  MOSFET經(jīng)過100%RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

  SiSS22DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為30周,視市場情況而定。

  VISHAY簡介

  Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

  TrenchFET和PowerPAK是Siliconix的注冊商標

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http:leisuda.cn/news/62119.htm
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