Vishay推出應(yīng)用于電信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心的新款60A VRPower®智能功率級

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為了在高性能電信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中實時地對處理器和存儲器的功耗進行監(jiān)控，推出兩個新的60A VRPower®智能功率級---SiC645和SiC645A。功率級集成了電流和溫度監(jiān)測器，可用于多相DC/DC系統(tǒng)。Vishay Siliconix SiC645和SiC645A把功率MOSFET、先進的驅(qū)動IC和1個啟動FET組合在熱增強的薄外形5mm x 5mm x 0.66mm PowerPAK® MLP55-32L/QFN封裝里，有效簡化設(shè)計，精度高于類似的標準DrMOS產(chǎn)品，同時占位面積比相近的對標器件小16%。

    使用電感器DCR檢測來監(jiān)控功耗，需要使用類似熱敏電阻這樣的外部元器件來進行溫度補償。與前面這種方案不同的是，SiC645和SiC645A利用低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)進行檢測，分別用5mV/A和8mV/C信號準確地報出電流(IMON)和溫度(TMON)。這種檢流方法在很寬的負載范圍內(nèi)都是準確的，而且在內(nèi)部進行溫度補償，省掉了外部電路，從而簡化設(shè)計。另外，使用這些功率級就能去掉檢流引線，同時由于沒有了噪聲和外部濾波，系統(tǒng)響應(yīng)速度很快。

    功率級的精度滿足Intel嚴格的VR13和VR13.x電流監(jiān)測精度要求，能夠更好地發(fā)揮服務(wù)器CPU的加速功能，在不增加成本的情況下為數(shù)據(jù)中心客戶提供更高的性能，優(yōu)點十分突出。專用的低邊FET控制pin腳使系統(tǒng)在輕載條件下也具有很好的效率。

    器件的輸入范圍從4.5V到18V，適用于為服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和云計算的微處理器和存儲器供電的高頻、高效VRM和VRD，高性能圖形卡和游戲機里的GPU，以及通用多相負載點(POL)DC/DC轉(zhuǎn)換器。SiC645和SiC645A的封裝能夠?qū)崿F(xiàn)雙面冷卻，低封裝寄生電阻和電感使開關(guān)頻率能夠達到2MHz。

    器件符合RoHS，無鹵素，故障保護功能包括高邊FET短路和過流保護、過熱保護、欠壓鎖定(UVLO)，有開漏故障報告輸出。SiC645和SiC645A分別支持5V和3.3V PWM三電平輸入，兼容Intersil的ISL68/69xx和ISL958xx數(shù)字多相控制器。

    智能功率級現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十周。<