ST的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)為未來移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施奠定重要基礎(chǔ)

    意法半導(dǎo)體的BiCMOS55 SiGe 先進(jìn)技術(shù)被歐洲E3NETWORK項(xiàng)目組采用，用于開發(fā)適合下一代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的高效率、高容量數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)。

    移動(dòng)數(shù)據(jù)使用量的迅猛增長，要求網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)支持更大的容量和更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。而如何加快移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)向先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)轉(zhuǎn)型的速度，對(duì)移動(dòng)回程線路（backhaul）基礎(chǔ)設(shè)施是一個(gè)新的挑戰(zhàn)，例如異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)（Heterogeneous Network）與云端無線接入網(wǎng)絡(luò)（RAN, Radio Access Network），其中更高頻段（例如E-band ）可提供更大帶寬，以支持更快的數(shù)據(jù)傳輸通道。

    建設(shè)這些超高效率的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)，設(shè)備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規(guī)模集成電路電子元器件。E3NETWORK項(xiàng)目利用意法半導(dǎo)體的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工藝，開發(fā)出55納米的Ft高達(dá)320GHz的異質(zhì)雙極晶體管（HBT, Heterojunction Bipolar Transistors）。這項(xiàng)制造工藝準(zhǔn)許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能、高容量的數(shù)字模塊，例如邏輯電路、AD/DA轉(zhuǎn)換器和存儲(chǔ)器。
E3NETWORK項(xiàng)目采用意法半導(dǎo)體的BiCMOS55制造，目前正在研發(fā)一個(gè)集成化的E-band收發(fā)器，用于去程線路（Fronthaul）和回程線路基礎(chǔ)設(shè)施，以實(shí)現(xiàn)數(shù)字多層調(diào)制，及高度聚焦的筆形波束（Pencil-beam）傳輸，數(shù)據(jù)速率可高達(dá)10Gbps。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率，同時(shí)在毫米波（millimeter-wave）間隔期間保護(hù)頻譜利用率（Spectrum efficiency）不受影響。

    作為歐盟第7框架計(jì)劃中的一個(gè)項(xiàng)目，E3NETWORK（Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks）匯集了眾多企業(yè)，其中包括CEIT（西班牙）、Fraunhofer（德國）、阿爾卡特朗訊（意大利）、CEA（法國）、INXYS（西班牙）、OTE（希臘）、SiR（德國）、Sivers IMA（瑞典）和意法半導(dǎo)體（意大利）。

    編者注：

    ST的BiCMOS技術(shù)將兩種不同制造工藝的優(yōu)勢整合在一顆芯片上，雙極晶體管提供高傳輸速率及高增益，這對(duì)于高頻模擬電路至關(guān)重要，而CMOS元器件在構(gòu)建簡單、低功耗邏輯門方面的應(yīng)用表現(xiàn)也非常出色。

    通過在一顆芯片上集成射頻、模擬及數(shù)字電路，意法半導(dǎo)體BiCMOS55 SiGe器件不僅大幅降低了外圍設(shè)備的數(shù)量，亦能夠同時(shí)進(jìn)行功耗優(yōu)化。<