Vishay新款快恢復(fù)二極管N溝道高壓MOSFET在進(jìn)一步提高可靠性的同時(shí)，更降低了系統(tǒng)損耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件具有低反向恢復(fù)電荷和導(dǎo)通電阻，在工業(yè)、電信、計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中可提高可靠性，并且節(jié)能。
今天推出的這些600V快恢復(fù)二極管MOSFET采用第二代超級結(jié)技術(shù)制造，充實(shí)了Vishay現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)E系列器件，使公司有更多的器件可用于類似移相
全橋和LLC半橋的零電壓開關(guān)(ZVA)/軟開關(guān)拓?fù)洹?
在這些應(yīng)用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復(fù)電荷(Qrr)比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低十倍的優(yōu)勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。
21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務(wù)器和通信電源、ATX/Silver box計(jì)算機(jī)開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器和半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的高功率、高頻開關(guān)應(yīng)用里，可實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無鹵素。
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