Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適合應(yīng)用在功率不超過500W的開關(guān)電源。這些Vishay Siliconix MOSFET具有與E系列600V和650V器件相同的優(yōu)點極低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗等，可幫助客戶達到更高的性能/效率標(biāo)準(zhǔn)，例如某些高性能消費類產(chǎn)品、照明應(yīng)用，以及ATX/銀盒PC開關(guān)電源所要求的嚴(yán)格的80 PLUS轉(zhuǎn)換效率標(biāo)準(zhǔn)。

    今天推出的這些500V MOSFET采用第二代超級結(jié)技術(shù)制造，為基于標(biāo)準(zhǔn)平面技術(shù)的Vishay現(xiàn)有的500V D系列提供了高效率的補充產(chǎn)品。器件的電流從12A到20A，具有190mΩ～380mΩ的低導(dǎo)通電阻和22nC～45nC的超低柵極電荷，這種組合為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了十分有利的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。

    器件的低導(dǎo)通電阻還有助于提高功率密度，同時其更快的開關(guān)速度可提高如功率因數(shù)校正(PFC)、雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和反激式轉(zhuǎn)換器等典型硬開關(guān)拓撲的效率。

    器件符合RoHS，可承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，并且保證限值通過100%的UIS測試。

    器件規(guī)格表：

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